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手機充電器電路,手機充電電路原理分析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-06-12 

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手機充電器電路,手機充電電路原理分析-KIA MOS管


手機充電器電路圖

手機充電器是一種小功率的開關電源,原理是通過內部精密的電子電路,將家用的交流220V電壓高效地轉化為適用于手機充電的低壓直流電。


手機充電器電路一

圖中,手機充電器的輸入端通過四個整流二極管構建成一個整流橋,通常現代手機充電器會采用MB10S這類貼片整流橋,而較少使用1N4007整流橋。經過整流橋的整流和高壓電容C1的濾波,220V的交流電被轉換為高壓直流電,為后續(xù)的高頻振蕩電路提供電源。其中,Q1作為高反壓開關管(能夠承受高達400V的耐壓),與高頻變壓器的初級線圈L1等元件共同構成高頻振蕩電路。該電路將整流濾波后的直流高壓電轉換為高頻交流高壓信號。隨后,這個高頻高壓信號通過高頻變壓器進行降壓,在次級線圈L3兩端產生一個低電壓的高頻信號。最后,經過二極管D3的整流和電容C5的濾波,這個高頻電壓被轉換為不甚穩(wěn)定的5V直流電壓,供手機充電使用。

手機充電器電路

U1作為光電耦合器,其核心功能是采集輸出電壓的樣本,并將其反饋給Q2(Q2通常選用2SC945這類小功率晶體管)。這一反饋機制再進一步通過Q2來調控Q1的通斷,從而確保輸出5V電壓的穩(wěn)定性。此外,為了保護Q2免受線圈感應電壓的損害,R1、C2和D1被精心設計成一個高壓吸收回路。值得注意的是,由于高頻變壓器次級輸出的是高頻交流電壓,因此二極管D3必須選用像1N5819這樣的肖特基二極管,其正向壓降小且高頻性能優(yōu)越。


手機充電器電路二

手機充電器電路

電路屬于自勵、反激式、變壓器耦合型、PWM開關電源;電源變換過程:交流(AC,輸入市電)→直流(DC)→交流(AC,高頻)→直流(DC,輸出);電路由整流、振蕩、穩(wěn)壓、保護四大系統(tǒng)組成。


輸入整流、濾波電路:由二極管VD1、電解電容器C1組成,屬于半波整流電路,輸出脈動直流電壓,峰值電壓311v,經電容濾波達到300v左右的直流電壓。VD1為1N4007這個二極管使用比較普遍,最大整流電流1A,最大反向電壓1000v;電解電容器的耐壓要大于300v;


振蕩電路:由R2、VT1、L1、L2、C4、R5組成,如果沒有L2、C4、R5反饋支路的存在,三極管VT1過著一種平淡的田園生活,它通過偏置電阻R2提供合適的偏壓,形成了一般的放大電路,但第三者---反饋電路的插足讓它的生活不再平靜,而是動蕩不安--形成了振蕩電流。


L2為反饋線圈,從圖上L1、L2同名端的關系看出該反饋屬于正反饋,于是形成了振蕩電路,由于電容C4的存在導致該振蕩電路形成的振蕩是間歇振蕩,不是正弦波;


起振過程:電路接通時,啟動電阻R2為電路提供偏置電流,于是VT1的集電極就有電流Ic通過Ic,當集電極線圈L1電流發(fā)生變化時(0→增加),就會產生自感電動勢,方向上+下-,因L2與L1同繞在一個磁心上,于是L2在互感的作用下,產生下+上-的感應電動勢;它相當于一個電源,通過C4、R5、三極管VT1的發(fā)射結形成了回路進行充電,于是三極管VT1的發(fā)射結電壓Ube在原來偏流的基礎上又增加了一個附加電流,Ib增加,Ic隨之增加,相應L2互感電動勢進一步增加,反饋強烈的進行,于是在輸出端形成了很陡峭的一個輸出波形。


但是這種增加不會無限制的提高,因為電容的充電性質是這樣的:接通瞬間相當于短路,之后慢慢升高,充電電流逐步減小,于是電容C2兩端的電壓逐步升高,極性右+左-,這個逐步增高的電壓對正反饋形成了阻礙,當達到一定值時,其負值電壓與三極管VT1的發(fā)射結偏置電壓極性相反,使Ube逐漸減小,減小到0.5v時,三極管就截止了。


截止時這時電容C4的電壓達到最大,充電電流為零,它不會因之而消停,只要有機會就會放電。它的負電壓為電源電壓對其充電創(chuàng)造了條件,于是電源電壓經過R2對其反充電,不僅抵消了其原有的充電電壓還對其反向充電,使其電壓左+右-,并且逐步升高,當升高超過0.5v時,于是三極管又具備了導通條件,新一輪的振蕩又開始了,如此周而復始的進行著。


從以上分析可知三極管VT1起到了開關作用,時而導通時而截止,不斷進行著振蕩。


當三極管VT1截止時,會在L3兩端產生上+下-的互感電動勢,有電能輸出,經二極管整流、濾波之后形成輸出直流;VD7、R6為輸出指示電路;只有截止時才會有輸出,導通時沒有,這就是反激式的來由。


穩(wěn)壓電路:由三極管VT2、VD3、C3、VD4、VD5組成;VD5在開關三極管VT1截止時導通:L2上+,C3上+、二極管VD5形成回路;C3電壓上+下-,電壓6v,上端接地電位0v,則下端電位-6v,這是一個取樣電壓,為標準值,要使VD4導通,則在VD4左端電位0.2v即可。當電壓增高時,電容C3電壓增高,即下端電位低于-6v,而VD4兩端電壓不變,于是左端電位被拉低,低于0.2v,拉低了三極管VT1的基極電位,使其飽和時間縮短,達到了穩(wěn)壓目的。


保護電路

短路保護:由輸入端保護電阻R1實現,但電源出現嚴重的短路故障時,R1會自我犧牲,切斷電路避免進一步的損壞;


R3、C2、VD2為尖峰吸收電路,用于保護三極管VT1,三極管在截止瞬間,會產生一個下+上-的自感電動勢,與電源電壓疊加后超過1000v,遠遠超過了三極管的最大反向電壓,通過這個電路,可以對這部分電能形成回路,進行釋放,同時釋放的過程中,形成變化的電流,可以將能量耦合到L3;


過流保護:R4為取樣電阻,當三極管VT1的電流增加時,三極管VT1發(fā)射極電壓升高,使三極管VT2導通,拉低了VT1的基極電壓,使其飽和時間縮短,達到了保護三極管的目的;


二極管VD1、VD2、VD6、VD5、VD4使用頻率不同,故選擇不同的二極管,高頻的使用快恢復二極管。變壓器采用高頻變壓器。


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