逆變器電源管理,150a80vmos管,KNM2808A場效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-06-23
KNM2808A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V, 漏極電流150A ，RDS（ON）值為4mΩ，極低RDS（ON）和優(yōu)秀柵極電荷，最大限度地減少導通損耗，最小化開關(guān)損耗；高輸入阻抗、低功耗、開關(guān)速度快，高效穩(wěn)定；100%雪崩測試，可靠且堅固，無鉛和綠色設(shè)備可用（符合RoHS標準），在切換應(yīng)用程序、逆變器電源管理中廣泛應(yīng)用；封裝形式：TO-247，提高產(chǎn)品性能。
漏源電壓：80V
漏極電流：150A
漏源通態(tài)電阻：4mΩ
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：660A
功率耗散：178W
總柵極電荷：152nC
輸入電容：6109PF
輸出電容：995PF
開通延遲時間：28nS
關(guān)斷延遲時間：42nS
上升時間：18ns
下降時間：54ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
