60R180場效應管,20a600v mos管,KLF60R180BD參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-09
60R180場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流20A ，采用先進的溝槽技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 160mΩ，低柵極電荷Qg=33.5nC，減少開關損耗，提高效率；具備高耐用性、超快開關速度、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，高效穩定；在電池管理系統、負載開關、無刷直流電機控制中廣泛應用；封裝形式：TO-220F，散熱出色。
漏源電壓：600V
漏極電流：20A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：55A
單脈沖雪崩能量：655MJ
功率耗散：36W
閾值電壓：3-5V
總柵極電荷：32.5nC
輸入電容：1300PF
反向傳輸電容：36PF
開通延遲時間：14nS
關斷延遲時間：48nS
上升時間：10ns
下降時間：6ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
