高電平轉(zhuǎn)低電平方法,高電平轉(zhuǎn)低電平電路-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-09-25
二極管電平轉(zhuǎn)換電路
利用二極管單向?qū)ㄌ匦?，輸入高電平時(shí)反向截止，輸出端被上拉至目標(biāo)電壓；輸入低電平時(shí)正向?qū)▽?shí)現(xiàn)電平匹配。
電路特點(diǎn)：
單向傳輸（僅支持高→低轉(zhuǎn)換）。
存在0.2-0.7V導(dǎo)通壓降（需選用肖特基二極管）。
三極管電平轉(zhuǎn)換電路
NPN型：輸入高電平導(dǎo)通，輸出低電平；輸入低電平截止，輸出被上拉至高電平。
PNP型：工作邏輯與NPN互補(bǔ)，適用于特定場(chǎng)景驅(qū)動(dòng)。
MOS管雙向轉(zhuǎn)換方案
支持雙向通信且無方向控制引腳，適用于I2C、SPI等總線協(xié)議。
設(shè)計(jì)要求：
低側(cè)電壓需大于MOS管閾值電壓（一般Vth<2V）。
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：N溝道MOS管串聯(lián)在高低壓域間，源極接低電壓端，漏極接高電壓端。
MOS管雙向電平轉(zhuǎn)換電路
這種電路方案的V1電壓≤V2電壓，且V1電壓要大于MOS管導(dǎo)通電壓。
當(dāng)S1A為低電平的時(shí)候，MOS管Q3導(dǎo)通，S1A與S2A導(dǎo)通，S2A端被拉低到0V，實(shí)現(xiàn)兩端都為低電平。
當(dāng)S1A為高電平的時(shí)候，MOS管Q3關(guān)斷，S2A端由上拉電阻（上圖中的 R28）拉高成高電平，實(shí)現(xiàn)兩端都被高電平。
當(dāng)S2A為低電平的時(shí)候，MOS管內(nèi)部寄生二極管導(dǎo)通，將S1A拉低至低電平，然后MOS管導(dǎo)通，S1A與S2A導(dǎo)通，輸出端被拉低到0V，實(shí)現(xiàn)兩端都為低電平。
當(dāng)S2A為高電平的時(shí)候，MOS管Q3關(guān)斷，S1A端由上拉電阻（上圖中的 R29）拉高成高電平，實(shí)現(xiàn)兩端都被高電平。
這種使用MOS管做電平轉(zhuǎn)換的電路切換速率較高，適用于需要進(jìn)行高速電平轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。
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