50n06場效應(yīng)管參數(shù),60v50a,to252,KIA50N06CD-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-10-20
50n06場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，采用KIA半導(dǎo)體LVMosfet技術(shù)制造，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 11mΩ，通過優(yōu)化工藝和單元結(jié)構(gòu)設(shè)計，有效降低導(dǎo)通狀態(tài)電阻，顯著提升開關(guān)性能；具有低柵極電荷、低交叉導(dǎo)通電流、快速開關(guān)、增強dv/dt響應(yīng)能力，在運行中高效穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)用于不間斷電源系統(tǒng)及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域；封裝形式：TO-252，散熱出色。
漏源電壓：60V
漏極電流：50A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：200A
單脈沖雪崩能量：405MJ
功率耗散：90W
閾值電壓：1.6V
總柵極電荷：52nC
輸入電容：2450PF
輸出電容：170PF
反向傳輸電容：130PF
開通延遲時間：15nS
關(guān)斷延遲時間：180nS
上升時間：72ns
下降時間：79ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
