電源適配器mos,1200v12a,KNM63120A場效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-11-18
KNM63120A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流12A，開關(guān)速度快，高效穩(wěn)定；低導(dǎo)通電阻RDS(on) 1.2Ω，能夠最大限度地減少導(dǎo)電損耗，低柵極電荷最小化開關(guān)損耗；具有快速恢復(fù)體二極管，防止反向電壓擊穿、提供續(xù)流保護、降低導(dǎo)通損耗，以及在高頻開關(guān)中提升效率；廣泛應(yīng)用于適配器、斬波器、SMPS 待機電源等，能夠承受較大的耐壓和電流；封裝形式：TO-247，適合高功率應(yīng)用場景。
詳細參數(shù)：
漏源極電壓：1200V
漏極電流：12A
導(dǎo)通電阻：1.2Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：48A
雪崩能量單脈沖：700MJ
功率耗散：380W
閾值電壓：2.5-4.5V
總柵極電荷：80nC
輸入電容：3300PF
輸出電容：305PF
反向傳輸電容：48PF
開通延遲時間：16nS
關(guān)斷延遲時間：52nS
上升時間：10ns
下降時間：34ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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