30v80a mos,3080場效應管參數(shù),to252,?KND3080-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-12-01
KND3080是一款N溝道邏輯電平增強模式功率MOSFET，漏源擊穿電壓30V，漏極電流80A，采用先進的溝槽技術制造，提供卓越的開關性能；極低導通電阻RDS(開啟) 4.3mΩ，最大限度地減少導電損耗，減少導通損耗，超低柵極電荷，高效低耗；CdV/dt效應顯著下降、100% ΔVds測試、100%UIS測試，穩(wěn)定可靠、綠色器件可用；廣泛應用于電機控制和驅(qū)動、電池管理、UPS不間斷電源等；封裝形式：TO-252，體積小，散熱出色。
詳細參數(shù)：
漏源極電壓：30V
漏極電流：80A
導通電阻：4.3mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：320A
雪崩能量單脈沖：169MJ
最大功耗：53W
柵極閾值電壓：1.5V
總柵極電荷：25nC
輸入電容：1500PF
輸出電容：188PF
反向傳輸電容：170PF
開通延遲時間：6nS
關斷延遲時間：30nS
上升時間：12ns
下降時間：8ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯(lián)系刪除。
