10N80現貨供應商 KIA10N80 10A/800V KIA10N80 PDF下載 -KIA官網
信息來源：本站 日期：2018-02-03
KIA10N80特點
RDS(on) =0.85? @ VGS =10V
低柵極電荷（典型的63nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
ESD能力提高
產品型號：KIA10N80
工作方式：10A/800V
漏源電壓：800V
柵源電壓：±25V
漏電流連續：10A
脈沖漏極電流：40A
雪崩能量：350mJ
耗散功率：42W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：800V
溫度系數：0.8V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：2230 PF
輸出電容：135 PF
上升時間：35 ns
封裝形式：TO-220F、TO-3P
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KIA10N80（10N80） |
| 產品編號 | KIA10N80/HF/HH |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產品工藝 |
功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的開關。性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖 |
| 產品特征 |
RDS(on) =0.85? @ VGS =10V 低柵極電荷（典型的63nc） 高耐用性 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 ESD能力提高 |
| 適用范圍 |
主要適合于高效率開關電源，有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲 |
| 封裝形式 |
TO-220F、TO-3P |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | m.enlve.com |
| PDF總頁數 | 總5頁 |
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