KIA3N80參數(shù)

KIA3n80hN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設(shè)計對于高電壓，高速功率開關(guān)應(yīng)用，如開關(guān)穩(wěn)壓器，開關(guān)轉(zhuǎn)換器，螺線管，電機驅(qū)動器，繼電器驅(qū)動程序。

特征

RDS(on)=4.8Ω @ VGS=10V

低柵極電荷（典型的13nc）

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt／dt能力

參數(shù)

產(chǎn)品型號：KIA3N80

工作方式：3.0A/800V

漏源電壓：800V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：3A

脈沖漏極電流：12A

雪崩能量：320mJ

耗散功率：39W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：800V

溫度系數(shù)：1V/℃

柵極閾值電壓：3.0V

輸入電容：543 PF

輸出電容：54 PF

上升時間：43.5 ns

封裝形式：TO-220F

	KIA3N80
產(chǎn)品編號	KIA3M80（3.0A 800V）
FET極性	N溝道MOSFET
產(chǎn)品特征	RDS(on)=4.8Ω @ VGS=10V 低柵極電荷（典型的13nc）高耐用性快速切換的能力雪崩能量改進的dt／dt能力
適用范圍	KIA3n80hN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設(shè)計對于高電壓，高速功率開關(guān)應(yīng)用，如開關(guān)穩(wěn)壓器，開關(guān)轉(zhuǎn)換器，螺線管，電機驅(qū)動器，繼電器驅(qū)動程序。
封裝形式	TO-220F
PDF文件	【直接在線預(yù)覽】
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廠家	KIA原廠家
網(wǎng)址	m.enlve.com
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