KIA6035參數指標

這是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開關電源，有源功率因數校正。基于半橋拓撲。

特征

RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v

低柵極電荷（典型的15nc）

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt／dt能力

參數

產品型號：KIA6035

工作方式：11A/350V

漏源電壓：350V

柵源電壓：±20V

漏電流連續：11A

脈沖漏極電流：36A

雪崩電流：9.91mJ

雪崩能量：423mJ

耗散功率：99W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：350V

溫度系數：0.35V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：844 PF

輸出電容：162 PF

上升時間：23.5 ns

封裝形式：TO-252、TO-220

	KIA6035/AD/AP
產品編號	KIA6035(11A 350V）
FET極性	N溝道MOSFET
產品工藝	這是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產的先進。這先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的。開關性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。
產品特征	RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v 低柵極電荷（典型的15nc）高耐用性快速切換的能力雪崩能量改進的dt／dt能力
適用范圍	主要適用于高效率開關電源，有源功率因數校正，基于半橋拓撲
封裝形式	TO-252、TO-220
PDF文件	【直接在線預覽】
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廠家	KIA原廠家
網址	m.enlve.com
PDF總頁數	總5頁