KIA原廠家mos場效應(yīng)管 KNP6140A N溝道 10A /400V PDF文件下載-KIA官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-03-16
專有的新平面技術(shù)
RDS(ON),典型值=0.35Ω@VGS =10V
低門電荷最小化開關(guān)損耗
快速恢復(fù)體二極管
鎮(zhèn)流器和照明
DC-AC逆變器
其他應(yīng)用程序
產(chǎn)品型號：KNP6140A
工作方式：10A/400V
漏源電壓：400V
柵源電壓：±30A
漏電流連續(xù)：10A
脈沖漏極電流：6A
雪崩能量：650mJ
耗散功率：140W
熱電阻：62℃/W
漏源擊穿電壓：400V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：1254PF
輸出電容：21PF
上升時間：25ns
封裝形式：TO-251、252
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KNP6140A N溝道MOSFET |
| 產(chǎn)品編號 | KNP6140A 10A/400V |
| 產(chǎn)品特征 |
專有的新平面技術(shù) RDS(ON),典型值=0.35Ω@VGS =10V 低門電荷最小化開關(guān)損耗 快速恢復(fù)體二極管 |
| 應(yīng)用范圍 |
鎮(zhèn)流器和照明 DC-AC逆變器 其他應(yīng)用程序 |
| 封裝形式 | TO-220、TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | m.enlve.com |
| PDF頁總數(shù) | 總8頁 |
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