MOS管燒壞的原因Mos管主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程...MOS管燒壞的原因Mos管主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把...
功率MOSFET-Vdss溫度特性分析，由圖可知MSOFET耐壓隨溫度升高而增加。 為什么M...功率MOSFET-Vdss溫度特性分析，由圖可知MSOFET耐壓隨溫度升高而增加。 為什么MSOFET的VDS耐壓隨溫度升高而增加，即呈現(xiàn)正溫度系數(shù)呢？
MOS管導(dǎo)通損耗的計(jì)算公式為：P=I^2R= Rdson* Iqsw* IqswD= 20x20x61.8/12=0.36...MOS管導(dǎo)通損耗的計(jì)算公式為：P=I^2R= Rdson* Iqsw* IqswD= 20x20x61.8/12=0.36W
MOS管 100A 30V參數(shù)詳情 優(yōu)質(zhì)品牌 技術(shù)支持 免費(fèi)送樣，MOS管 100A 30V產(chǎn)品特性...MOS管 100A 30V參數(shù)詳情 優(yōu)質(zhì)品牌 技術(shù)支持 免費(fèi)送樣，MOS管 100A 30V產(chǎn)品特性： RDS(on)=3.2mΩ@VGS=10V 采用CRM(CQ)先進(jìn)溝槽MOS技術(shù) 極低通阻RDS(on) 符合J...
MOSFET導(dǎo)通過(guò)程詳解，MOSFET簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管是一種可以廣泛使用在模擬電路...MOSFET導(dǎo)通過(guò)程詳解，MOSFET簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作...
MOS管開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗分析，人們對(duì)開(kāi)關(guān)電源的要求越來(lái)越高，要求開(kāi)關(guān)電源的...MOS管開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗分析，人們對(duì)開(kāi)關(guān)電源的要求越來(lái)越高，要求開(kāi)關(guān)電源的體積越來(lái)越小，這也意味著開(kāi)關(guān)頻率越來(lái)越高。隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高，降低變換器的開(kāi)關(guān)...
