本文主要講可控硅的測量方法、可控硅的特性及工作原理一種以硅單晶為基本材料的...本文主要講可控硅的測量方法、可控硅的特性及工作原理一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱...
互聯(lián)網(wǎng)教育是什么，?“互聯(lián)網(wǎng)+教育”是隨著當今科學技術的不斷發(fā)展，互聯(lián)網(wǎng)科...互聯(lián)網(wǎng)教育是什么，?“互聯(lián)網(wǎng)+教育”是隨著當今科學技術的不斷發(fā)展，互聯(lián)網(wǎng)科技與教育領域相結合的一種新的教育形式。信息化技術已經(jīng)滲透到社會的各個方面。教育...
igbt作用和原理是什么？IGBT是一種功率晶體管，運用此種晶體設計之UPS可有效提...igbt作用和原理是什么？IGBT是一種功率晶體管，運用此種晶體設計之UPS可有效提升產(chǎn)品效能，使電源品質好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產(chǎn)品壽命長等多種優(yōu)...
“互聯(lián)網(wǎng)+教育”是隨著當今科學技術的不斷發(fā)展，互聯(lián)網(wǎng)科技與教育領域相結合的...“互聯(lián)網(wǎng)+教育”是隨著當今科學技術的不斷發(fā)展，互聯(lián)網(wǎng)科技與教育領域相結合的一種新的教育形式。信息化技術已經(jīng)滲透到社會的各個方面。教育領域中，一場信息化的...
VMOS場效應管的檢測方法解析。VMOS管全稱V-groove metal-oxide semiconductor，...VMOS場效應管的檢測方法解析。VMOS管全稱V-groove metal-oxide semiconductor，或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的。它不僅...
vdmos結構原理及特點-LDMOS與VDMOS比較分析，vdmos結構原理是本文要講述的，80...vdmos結構原理及特點-LDMOS與VDMOS比較分析，vdmos結構原理是本文要講述的，80年代以來，迅猛發(fā)展的超大規(guī)模集成電路技術給高壓大電流半導體注入了新的活力，一批...
