電源抑制比(PSRR,Power Supply Rejection Ratio)，它描述了電路抑制任何電源變...電源抑制比(PSRR,Power Supply Rejection Ratio)，它描述了電路抑制任何電源變化傳遞到其輸出信號(hào)的能力，通常以dB為單位進(jìn)行測(cè)量，用來描述輸出信號(hào)受電源影響。...
源極（S）：在符號(hào)中始終表現(xiàn)為兩條導(dǎo)線的交叉點(diǎn)，負(fù)責(zé)為導(dǎo)電溝道提供載流子（...源極（S）：在符號(hào)中始終表現(xiàn)為兩條導(dǎo)線的交叉點(diǎn)，負(fù)責(zé)為導(dǎo)電溝道提供載流子（電子或空穴），是電流的輸入或輸出端。 漏極（D）：在符號(hào)中為單獨(dú)引線的一側(cè)，作為...
ao3400場(chǎng)效應(yīng)管代換型號(hào)KIA3400漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進(jìn)的溝槽...ao3400場(chǎng)效應(yīng)管代換型號(hào)KIA3400漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟)、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作，減少開關(guān)...
KNH2906B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.6m...KNH2906B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.6mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提高效率；采用KIA半導(dǎo)體尖端技術(shù)制造，具有?快速開關(guān)...
電源從左側(cè)正常輸入時(shí)： 當(dāng)VCC有效時(shí)，PMOS的體二極管率先導(dǎo)通，隨后S極的電壓...電源從左側(cè)正常輸入時(shí)： 當(dāng)VCC有效時(shí)，PMOS的體二極管率先導(dǎo)通，隨后S極的電壓由先前的0V變成了（VCC-0.7），此時(shí)Vgs = 0 -（VCC-0.7）= -VCC+0.7。
SOT-89是表面貼裝晶體管封裝形式之一，主要用于中功率場(chǎng)景。 SOT-89封裝尺寸規(guī)...SOT-89是表面貼裝晶體管封裝形式之一，主要用于中功率場(chǎng)景。 SOT-89封裝尺寸規(guī)范： 主體尺寸4.5mm（長(zhǎng)）×2.45mm（寬）×1.55mm（高） 引腳布局：3/5引腳配置，...
