MOSFET 的體效應（body-effect，也叫襯底調制效應/襯偏效應），主要是來源于 M...MOSFET 的體效應（body-effect，也叫襯底調制效應/襯偏效應），主要是來源于 MOS 管的 S-B（Source-Bulk）端之間的偏壓對 MOSFET 閾值電壓 vth 的影響
通過調節門極驅動電阻和電容的大小可以來調整 MOSFET 的開通/關斷速度：增大門...通過調節門極驅動電阻和電容的大小可以來調整 MOSFET 的開通/關斷速度：增大門極驅動電阻和電容來減慢MOSFET開通/關斷的速度，減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門極電...
高壓MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的核心是其特...高壓MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的核心是其特殊的MOS結構，包括源極、漏極和柵極，以及它們之間的電壓控制關系。
絕對值電路可以將輸入的帶有正負號的數值轉換為其絕對值。這是通過對輸入信號進...絕對值電路可以將輸入的帶有正負號的數值轉換為其絕對值。這是通過對輸入信號進行比較和選擇來實現的。如果輸入信號是正的，則輸出與輸入相同；如果輸入信號是負的...
亞閾值斜率S也稱亞閾值擺幅，其定義為亞閾值區漏端電流增加一個數量級所需要增...亞閾值斜率S也稱亞閾值擺幅，其定義為亞閾值區漏端電流增加一個數量級所需要增大的柵電壓，反映了電流從關態到開態的轉換陡直度，具體對應于采用半對數坐標的器件...
直流升壓電路屬于DC/DC電路的一種類型。直流升壓（DC-DC Boost）是一種將輸入直...直流升壓電路屬于DC/DC電路的一種類型。直流升壓（DC-DC Boost）是一種將輸入直流電壓升壓到較高的直流電壓的電路。直流升壓就是將電池提供的較低的直流電壓，提升...
