KIA2N65HD場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓650V，漏極電流2A，采用KIA先進(jìn)平面條紋DMOS技術(shù)...KIA2N65HD場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓650V，漏極電流2A，采用KIA先進(jìn)平面條紋DMOS技術(shù)制造，可顯著降低導(dǎo)通電阻、提升開(kāi)關(guān)性能，并在雪崩模式和換向模式下具備優(yōu)異的高能...
接通電源后，C1會(huì)有300V左右的直流電壓，通過(guò)R2給Q1的基極提供電流，Q1的發(fā)射極...接通電源后，C1會(huì)有300V左右的直流電壓，通過(guò)R2給Q1的基極提供電流，Q1的發(fā)射極有R1電流檢測(cè)電阻R1，Q1基極得電后，會(huì)經(jīng)過(guò)T1的（3、4）產(chǎn)生集電極電流，并同時(shí)在T...
白天在較強(qiáng)光照下，光導(dǎo)管227A（一種光敏電阻）兩端阻值很小，約20~50kΩ;，晶...白天在較強(qiáng)光照下，光導(dǎo)管227A（一種光敏電阻）兩端阻值很小，約20~50kΩ;，晶體管VT2獲得基極電流而導(dǎo)通，VT1從R2上得到正偏電壓也導(dǎo)通，繼電器線圈KA得電，繼電...
KIA2N60HP場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流2A，低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 4.1Ω，...KIA2N60HP場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流2A，低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 4.1Ω，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；具有低柵極電荷（典型值9nC）、高耐用性、快速切換能力，...
SMA封裝（DO-214AC） 尺寸4.5×2.5mm，引腳間距1.27mm，高度僅1.1mm，采用扁平...SMA封裝（DO-214AC） 尺寸4.5×2.5mm，引腳間距1.27mm，高度僅1.1mm，采用扁平矩形結(jié)構(gòu)，引腳呈鷗翼型（J形）。 2. SMB封裝（DO-214AA） 尺寸4.5×3.5mm，引腳...
表面貼裝式是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤(pán)上。典型表面貼裝式...表面貼裝式是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤(pán)上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形（D-PAK）、小外形晶體管（SOT）、小外形封裝（SOP）等。
