運(yùn)放的輸入偏置電流 Ib 和輸入失調(diào)電流 Ios，眾說(shuō)周知，理想運(yùn)放是沒(méi)有輸入偏置...運(yùn)放的輸入偏置電流 Ib 和輸入失調(diào)電流 Ios，眾說(shuō)周知，理想運(yùn)放是沒(méi)有輸入偏置電流 Ib 和輸入失調(diào)電流 Ios 的。但每一顆實(shí)際運(yùn)放都會(huì)有輸入偏置電流 Ib 和輸入失...
運(yùn)放的輸入共模電容 Ccm 和差模電容 Cdiff 會(huì)形成運(yùn)放的輸入電容 Cin。在許多應(yīng)...運(yùn)放的輸入共模電容 Ccm 和差模電容 Cdiff 會(huì)形成運(yùn)放的輸入電容 Cin。在許多應(yīng)用中，運(yùn)算放大器的輸入電容都不會(huì)造成問(wèn)題。但在某些應(yīng)用中會(huì)引起放大電路的不穩(wěn)定...
KIA65R700超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管650V7A，減少傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能優(yōu)異，可在雪...KIA65R700超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管650V7A，減少傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能優(yōu)異，可在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設(shè)備非常適合于交流/直流功率轉(zhuǎn)換的開(kāi)關(guān)模式操作，...
（1）由于 VBAT 端要提供負(fù)載的工作電流，因此，要求 PMOS 管的導(dǎo)通內(nèi)阻比 NMO...（1）由于 VBAT 端要提供負(fù)載的工作電流，因此，要求 PMOS 管的導(dǎo)通內(nèi)阻比 NMOS 管要更小。一般來(lái)說(shuō)，導(dǎo)通內(nèi)阻越小，其 Gate 端的結(jié)電容就越大，所以 PMOS 管的開(kāi)...
基于MOS管的防反接電路，如NMOS管串入GND管腳的防反接電路。相比于以往的防反接...基于MOS管的防反接電路，如NMOS管串入GND管腳的防反接電路。相比于以往的防反接電路，MOS管類(lèi)型的防反接保護(hù)電路，具有低功耗和壓降小的優(yōu)點(diǎn)。
這種功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)特...這種功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)特別定制，可以最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承...
