SiC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求主要有: ①驅(qū)動電流要足夠大，以縮短米勒平臺...SiC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求主要有: ①驅(qū)動電流要足夠大，以縮短米勒平臺的持續(xù)時間使驅(qū)動脈沖前后沿足夠陡峭，尤其在多管并聯(lián)的工況下;
對于電機(jī)驅(qū)動來說，MOSFET是實現(xiàn)電流輸出的關(guān)鍵器件，MOS驅(qū)動電路作為控制電路...對于電機(jī)驅(qū)動來說，MOSFET是實現(xiàn)電流輸出的關(guān)鍵器件，MOS驅(qū)動電路作為控制電路和功率電路的接口，其作用至關(guān)重要，它決定了這個電機(jī)驅(qū)動板卡的性能。
光耦MOSFET是一種全固態(tài)繼電器，由輸入側(cè)的發(fā)光二極管（LED）和觸點(diǎn)的MOSFET組...光耦MOSFET是一種全固態(tài)繼電器，由輸入側(cè)的發(fā)光二極管（LED）和觸點(diǎn)的MOSFET組成。因此，通常將其稱為SSR（固態(tài)繼電器）。
上面是Nch MOSFET和二極管組合的子電路模型示例，其中包括電路連接、MOSFET的器...上面是Nch MOSFET和二極管組合的子電路模型示例，其中包括電路連接、MOSFET的器件模型、二極管的器件模型?！澳Ｐ蛢?nèi)部的電路連接”的描述，由實例名、連接引腳以及...
通常，熱模型在仿真中較慢，因為除了正常電氣和電子行為的計算之外，仿真器還必...通常，熱模型在仿真中較慢，因為除了正常電氣和電子行為的計算之外，仿真器還必須處理系統(tǒng)的所有熱方程，這涉及大量計算工作。
對于MOSFET，電流只有一種情況，就是流經(jīng)D/S之間的電路，記為IDS，電壓有VGS和...對于MOSFET，電流只有一種情況，就是流經(jīng)D/S之間的電路，記為IDS，電壓有VGS和VDS。MOSFET的特性I-V曲線有兩種情況：VGS-IDS和VDS-IDS。
