MOS管的源端和漏端分別接Vg和Vd，可設(shè)置Vg為3.3V，Vd為變量，設(shè)置變量Vd值為3....MOS管的源端和漏端分別接Vg和Vd，可設(shè)置Vg為3.3V，Vd為變量，設(shè)置變量Vd值為3.3V，dc仿真并對design variable ——Vd進行掃描，掃描范圍選擇0-3.3V，掃描方式選擇...
上圖可見，DCM和CCM是固定頻率的，CRM是可變頻率的。其中Id為副邊的輸出電流。...上圖可見，DCM和CCM是固定頻率的，CRM是可變頻率的。其中Id為副邊的輸出電流。分析上圖，可知CCM模式下，電流不會趨于0。DCM模式下，電流會趨于0，并且有一定的死...
圖中V為全控型器件，選用IGBT;D為續(xù)流二極管。由圖中V的柵極電壓波形UGE可知，...圖中V為全控型器件，選用IGBT;D為續(xù)流二極管。由圖中V的柵極電壓波形UGE可知，當(dāng)V處于通態(tài)時，電源Ui向負載供電，UD=Ui。當(dāng)V處于斷態(tài)時，負載電流經(jīng)二極管D續(xù)流，...
降壓轉(zhuǎn)換器的傳導(dǎo)損耗主要來自于晶體管Q1、二極管D1和電感L在傳導(dǎo)電流時產(chǎn)生的...降壓轉(zhuǎn)換器的傳導(dǎo)損耗主要來自于晶體管Q1、二極管D1和電感L在傳導(dǎo)電流時產(chǎn)生的壓降。為了簡化討論，在下面的傳導(dǎo)損耗計算中忽略電感電流的交流紋波。如果MOSFET用...
開關(guān)電源產(chǎn)生振鈴的主要原因在于非理想器件存在功率級寄生電容、電感。所謂諧振...開關(guān)電源產(chǎn)生振鈴的主要原因在于非理想器件存在功率級寄生電容、電感。所謂諧振,即:在MOS管開通、關(guān)斷切換的過程中,寄生電感將能量傳遞給寄生電容進行充電,充電結(jié)...
在模塊電源中，小功率電源的短路保護一般不外接短路保護電路，這種模塊的特點是...在模塊電源中，小功率電源的短路保護一般不外接短路保護電路，這種模塊的特點是功率小，體積小，成本低;適合當(dāng)前競爭激烈的市場;然而它們本身存在一個致命的特點，...
