運放主要直流指標有輸入失調電壓、輸入失調電壓的溫度漂移（簡稱輸入失調電壓溫...運放主要直流指標有輸入失調電壓、輸入失調電壓的溫度漂移（簡稱輸入失調電壓溫漂）、輸入偏置電流、輸入失調電流、輸入偏置電流的溫度漂移（簡稱輸入失調電流溫漂...
此問題一般情況是在硬開關，因有米勒效應，彌勒效應時可確定開關是硬開關，看上...此問題一般情況是在硬開關，因有米勒效應，彌勒效應時可確定開關是硬開關，看上圖MOS管驅動問題嚴重。當驅動電壓到米勒平臺，理想是保持不變，但是如上第二個圖有...
PFC(功率因數校正)主要是對輸入電流波形進行控制，使其同步輸入電壓波形。功率...PFC(功率因數校正)主要是對輸入電流波形進行控制，使其同步輸入電壓波形。功率因數是指有功功率與視在功率的比值。功率因素可以衡量電力被有效利用的程度，當功率...
?小電流PMOS管 KIA3409 -2.6A-30V介紹 KIA3409采用先進的溝槽技術，提供卓越...?小電流PMOS管 KIA3409 -2.6A-30V介紹 KIA3409采用先進的溝槽技術，提供卓越的RDS（on）低柵極充電。這款產品適合用作負載開關或在脈寬調制應用中使用。是一款標...
（1）SJ-MOS在N層具有柱狀P層（P柱層）。P層和N層交替排列。（參見圖3-9（b））...（1）SJ-MOS在N層具有柱狀P層（P柱層）。P層和N層交替排列。（參見圖3-9（b）） （2）通過施加VDS，耗盡層在N層中擴展，但其在SJ-MOS中的擴展方式與在一般D-MOS中...
1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時候散熱能力不及IGBT。 2、I...1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時候散熱能力不及IGBT。 2、IGBT短路后能夠退飽和（desaturation）進入線性區，電流不再增加，能夠自我限流。
