通常在實(shí)際的設(shè)計過程中，電子工程師對其的驅(qū)動電路以及驅(qū)動電路的參數(shù)調(diào)整并不...通常在實(shí)際的設(shè)計過程中，電子工程師對其的驅(qū)動電路以及驅(qū)動電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注，尤其是從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動電路的設(shè)計，導(dǎo)致在...
閂鎖效應(yīng) (Latch Up) 是在器件的電源引腳和地之間產(chǎn)生低阻抗路徑的條件，這種低...閂鎖效應(yīng) (Latch Up) 是在器件的電源引腳和地之間產(chǎn)生低阻抗路徑的條件，這種低阻抗路徑可能會由于過大的電流水平而導(dǎo)致系統(tǒng)紊流或?yàn)?zāi)難性損壞。本文介紹閂鎖效應(yīng)產(chǎn)...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極...IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,具有功...
下面要介紹的是單片機(jī)電路里面經(jīng)常用到的一個MOS管組合控制電路，由一個增強(qiáng)型...下面要介紹的是單片機(jī)電路里面經(jīng)常用到的一個MOS管組合控制電路，由一個增強(qiáng)型NMOS管和一個增強(qiáng)型PMOS管組成，IO_CON是接到單片機(jī)(單片機(jī)供電3.3V)的IO口上，單片...
通常我們的電子產(chǎn)品，為防止用戶將正負(fù)極接反，會對接口做防反接保護(hù)。比如接口...通常我們的電子產(chǎn)品，為防止用戶將正負(fù)極接反，會對接口做防反接保護(hù)。比如接口做成梯形或者開個缺口，反了不容易插進(jìn)，對于一些工控類產(chǎn)品，只提供接線端子的方式...
功率MOS管自身擁有眾多優(yōu)點(diǎn)，但是MOS管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在...功率MOS管自身擁有眾多優(yōu)點(diǎn)，但是MOS管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場合，所以在應(yīng)用功率MOS管對必須為其設(shè)計合理的保護(hù)電路來提高器件的可...
