CMOS電路由PMOS（P溝道）管和NMOS（N溝道）管通過互補對稱方式連接，形成推挽式...CMOS電路由PMOS（P溝道）管和NMOS（N溝道）管通過互補對稱方式連接，形成推挽式工作模式。在基本反相器中，PMOS作為上拉管，NMOS作為下拉管，兩者交替導通實現邏輯...
NMOS：以P型半導體為襯底，兩側為N型擴散區（源極S與漏極D），形成N型導電溝道...NMOS：以P型半導體為襯底，兩側為N型擴散區（源極S與漏極D），形成N型導電溝道。 PMOS：以N型半導體為襯底，兩側為P型擴散區，形成P型導電溝道。
KNH8150A場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流30A，采用先進的平面加工技術制造...KNH8150A場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流30A，采用先進的平面加工技術制造，?低導通電阻RDS(開啟) 150mΩ（典型值）@VGS=10V，最大限度地降低導通電阻，低柵...
太陽能逆變器是太陽能發電系統的核心設備，主要用于將光伏電池板產生的直流電（...太陽能逆變器是太陽能發電系統的核心設備，主要用于將光伏電池板產生的直流電（DC）轉換為可供電網或電器使用的交流電（AC），并承擔調節電能質量的職能。
溫度補償電路原理是利用正/負溫度系數元件組合或反饋機制實現溫度誤差的動態修...溫度補償電路原理是利用正/負溫度系數元件組合或反饋機制實現溫度誤差的動態修正。 正負溫度系數組合：正溫度系數（PTC）元件在溫度升高時電阻增大，負溫度系數（...
KNY2904A場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(開啟) 2mΩ...KNY2904A場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(開啟) 2mΩ（典型值）@VGS=10V，最大限度地降低導通電阻，減少開關損耗，低交叉失真，高效穩定...
