pmos是低電壓開啟的,其導(dǎo)通條件是柵極電壓(Vgs)低于閾值電壓(通常為負值)...pmos是低電壓開啟的,其導(dǎo)通條件是柵極電壓(Vgs)低于閾值電壓(通常為負值),即柵極相對于源極為負電壓時導(dǎo)通。 pmos管的開通電壓為負值,通常在-5V至-10V范圍...
KNY2404A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V,漏極電流190A,采用專有新型溝槽工藝制造,...KNY2404A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V,漏極電流190A,采用專有新型溝槽工藝制造,極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.2mΩ,最大限度地降低導(dǎo)通電阻,低柵極電荷減少開關(guān)損耗,...
變頻電源是由整個電路構(gòu)成交流一直流一交流一濾波的變頻裝置。?變頻器通過整流...變頻電源是由整個電路構(gòu)成交流一直流一交流一濾波的變頻裝置。?變頻器通過整流、中間直流環(huán)節(jié)和逆變等過程,將輸入的交流電轉(zhuǎn)換為頻率和電壓可調(diào)的交流電,從而實...
變頻器的逆變原理是通過脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù)控制開關(guān)器件通斷時序,將直流電轉(zhuǎn)...變頻器的逆變原理是通過脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù)控制開關(guān)器件通斷時序,將直流電轉(zhuǎn)換為頻率和電壓可調(diào)的交流電。
KCY2408A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V,漏極電流190A,采用SGT-MOSFET技術(shù),專有新...KCY2408A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V,漏極電流190A,采用SGT-MOSFET技術(shù),專有新型溝槽工藝制造,??極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2mΩ,最大限度地降低導(dǎo)通電阻,減少損...
升降壓電路由電感周期性的充能和放能過程維持均勻的電壓輸出,且輸出電壓與輸入...升降壓電路由電感周期性的充能和放能過程維持均勻的電壓輸出,且輸出電壓與輸入電壓極性相反。將升降壓電路中的電感替換成互相耦合的電感N1和N2(也就是變壓器)就...