單結晶體管有三個電極，分別稱為第一基極b1、第二基極b2、發射極e。單結晶體管...單結晶體管有三個電極，分別稱為第一基極b1、第二基極b2、發射極e。單結晶體管雖然有三個電極，但在結構上只有一個PN結，它是在一塊高電阻率的N型硅基片一側的兩端...
KCT1004M場效應管漏源擊穿電壓40V, 漏極電流320A ，采用先進的SGT技術，高壓器...KCT1004M場效應管漏源擊穿電壓40V, 漏極電流320A ，采用先進的SGT技術，高壓器件新技術，低導通電阻和低傳導損耗，性能優越；?極低導通電阻RDS(開啟) 0.62mΩ，超...
在電路中，MOS管的開啟電壓（通常指的是閾值電壓）決定了MOS管從截止狀態到導通...在電路中，MOS管的開啟電壓（通常指的是閾值電壓）決定了MOS管從截止狀態到導通狀態所需的柵源電壓（VGS）的最小值。對于NMOS管，當VGS大于Vth時，管子開始導通。...
場效應管是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件)，有很高的輸入阻抗，較大的...場效應管是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件)，有很高的輸入阻抗，較大的功率增益，由于是電壓控制器件所以噪聲小。FET是根據三極管的原理開發出的新一代放...
KNP2908C場效應管漏源擊穿電壓80V, 漏極電流130A ，采用KIA的先進技術制造，極...KNP2908C場效應管漏源擊穿電壓80V, 漏極電流130A ，采用KIA的先進技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，低柵極電荷（典型值182nC)，最大限度地減少導通損耗，...
ao3400場效應管代換型號?KIA3400漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進的溝...ao3400場效應管代換型號?KIA3400漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進的溝槽技術，極低導通電阻RDS(開啟)、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作，減少開關損...
