KNH2908D場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(開啟) 4.8m...KNH2908D場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(開啟) 4.8mΩ，最大限度地減少導電損耗；低電流以減少導電損耗、高雪崩電流，性能優(yōu)越，高效穩(wěn)...
反相降壓升壓轉換器使用p溝道MOSFET作為開關，但p溝道MOSFET的一大缺點是其內阻...反相降壓升壓轉換器使用p溝道MOSFET作為開關，但p溝道MOSFET的一大缺點是其內阻。如果考慮一個通用的IRF9540 p溝道MOSFET，內阻是0.22R或220ms，但如果考慮它的互...
電路中VT1與VT2組成互補多諧振蕩器，它的振蕩頻率約為2kHz。T是升壓變壓器，初...電路中VT1與VT2組成互補多諧振蕩器，它的振蕩頻率約為2kHz。T是升壓變壓器，初級就是互補多諧振蕩器的負載，次級為升壓繞組，輸出一個較高的脈沖電壓。
電機控制器mos管KIA50N06BP漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，低導通電阻RDS(開啟...電機控制器mos管KIA50N06BP漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，低導通電阻RDS(開啟) 10.5mΩ，最大限度地減少導電損耗，降低功耗、提升效率；低電流以減少導電損耗、高...
通過控制兩個全控型開關器件的通斷，實現直流到交流的轉換。當其中一個開關閉合...通過控制兩個全控型開關器件的通斷，實現直流到交流的轉換。當其中一個開關閉合時，直流電源的正極連接到交流負載上，同時負載上出現正向電壓；當該開關斷開時，負...
半橋電路由兩個串聯的功率開關和兩個串聯的電容組成。當V1導通時，V2關斷，電容...半橋電路由兩個串聯的功率開關和兩個串聯的電容組成。當V1導通時，V2關斷，電容C1上的能量釋放到負載R上，輸出電壓Uo為正，同時電容C2充電。當V1關斷后，V2導通，...
