近來(lái)， 半橋諧振拓?fù)湟云涓咝В吖β拭芏仁艿綇V大電源設(shè)計(jì)工程師的青睞，但是...近來(lái)， 半橋諧振拓?fù)湟云涓咝В吖β拭芏仁艿綇V大電源設(shè)計(jì)工程師的青睞，但是這種軟開(kāi)關(guān)拓?fù)鋵?duì)MOSFET的要求卻超過(guò)了以往任何一種硬開(kāi)關(guān)拓?fù)洹Ｌ貏e是在電源啟機(jī)，...
晶體管和mos管區(qū)別 mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconducto...晶體管和mos管區(qū)別 mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是...
FDP51N25產(chǎn)品特點(diǎn)： 1、51A，250V，RDS (on) = 0.060Ω@VGS = 10V 2、低柵極...FDP51N25產(chǎn)品特點(diǎn)： 1、51A，250V，RDS (on) = 0.060Ω@VGS = 10V 2、低柵極電荷（典型的55nC） 3、低Crss（典型的63PF） 4、快速切換 5、100%雪崩試驗(yàn) 6、...
mos經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路詳解：現(xiàn)在的mos經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路，有幾個(gè)特別的需求： 1，低壓應(yīng)...mos經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路詳解：現(xiàn)在的mos經(jīng)典驅(qū)動(dòng)電路，有幾個(gè)特別的需求： 1，低壓應(yīng)用，當(dāng)使用5V電源，這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有0.7V左右的壓...
對(duì)MOS失效的原因分析，對(duì)1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析 1：雪崩失效(電壓失效)，也就是我們...對(duì)MOS失效的原因分析，對(duì)1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析 1：雪崩失效(電壓失效)，也就是我們常說(shuō)的漏源間的BVdss電壓超過(guò)MOSFET的額定電壓，并且超過(guò)達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致...
KIA100N03AD 90A/30V替代?IR8726?，KIA100N03AD產(chǎn)品功率MOSFET采用起亞`平面...KIA100N03AD 90A/30V替代?IR8726?，KIA100N03AD產(chǎn)品功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的先進(jìn)。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制，以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力，提供優(yōu)...
