亞閾值電流是在MOS管理想的電流-電壓特性中,當(dāng)Vgs小于 Vt 時,漏極電流 Id 為...亞閾值電流是在MOS管理想的電流-電壓特性中,當(dāng)Vgs小于 Vt 時,漏極電流 Id 為0。 亞閾值電流,或稱亞閾值漏電流(英語:subthreshold leakage),是金屬氧化物...
電容在電路設(shè)計中是一個基本又必不可少的部分,除了作為旁路,濾波,去耦或隔直...電容在電路設(shè)計中是一個基本又必不可少的部分,除了作為旁路,濾波,去耦或隔直等作用,在一些電路中也可以作為運(yùn)算電路單元,完成信號的存儲和傳遞。在集成電路設(shè)...
1.使得MOS管的開啟延遲和關(guān)斷延遲增加 由于存在源邊電感,在開啟和關(guān)段初期,...1.使得MOS管的開啟延遲和關(guān)斷延遲增加 由于存在源邊電感,在開啟和關(guān)段初期,電流的變化被拽了,使得充電和放電的時間變長了。同時源邊感抗和等效輸入電容之間會...
寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際...寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上,一個電阻等效于一個電容,一個電感,和一個電阻的串聯(lián),在低頻情況下表現(xiàn)不是很...
600V?20A?MOS管-產(chǎn)品特征 專有平面新技術(shù) RDS(ON),typ.=0.35Ω@VGS=10V 低...600V?20A?MOS管-產(chǎn)品特征 專有平面新技術(shù) RDS(ON),typ.=0.35Ω@VGS=10V 低柵極電荷使開關(guān)損耗最小化 快恢復(fù)體二極管
其實(shí)MOS管的開關(guān)波形來講的話,一般我們需要考慮它的過沖,一般來講的話前面會...其實(shí)MOS管的開關(guān)波形來講的話,一般我們需要考慮它的過沖,一般來講的話前面會加一個電阻來進(jìn)行一個設(shè)置。那這種情況下的話我們不希望他的過沖太高,一般來講不能...