亞閾值電流是在MOS管理想的電流－電壓特性中，當(dāng)Vgs小于 Vt 時，漏極電流 Id 為...亞閾值電流是在MOS管理想的電流－電壓特性中，當(dāng)Vgs小于 Vt 時，漏極電流 Id 為0。 亞閾值電流，或稱亞閾值漏電流（英語：subthreshold leakage），是金屬氧化物...
電容在電路設(shè)計中是一個基本又必不可少的部分，除了作為旁路，濾波，去耦或隔直...電容在電路設(shè)計中是一個基本又必不可少的部分，除了作為旁路，濾波，去耦或隔直等作用，在一些電路中也可以作為運(yùn)算電路單元，完成信號的存儲和傳遞。在集成電路設(shè)...
1.使得MOS管的開啟延遲和關(guān)斷延遲增加 由于存在源邊電感，在開啟和關(guān)段初期，...1.使得MOS管的開啟延遲和關(guān)斷延遲增加 由于存在源邊電感，在開啟和關(guān)段初期，電流的變化被拽了，使得充電和放電的時間變長了。同時源邊感抗和等效輸入電容之間會...
寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際...寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上，一個電阻等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很...
600V?20A?MOS管-產(chǎn)品特征 專有平面新技術(shù) RDS(ON),typ.=0.35Ω@VGS=10V 低...600V?20A?MOS管-產(chǎn)品特征 專有平面新技術(shù) RDS(ON),typ.=0.35Ω@VGS=10V 低柵極電荷使開關(guān)損耗最小化 快恢復(fù)體二極管
其實(shí)MOS管的開關(guān)波形來講的話，一般我們需要考慮它的過沖，一般來講的話前面會...其實(shí)MOS管的開關(guān)波形來講的話，一般我們需要考慮它的過沖，一般來講的話前面會加一個電阻來進(jìn)行一個設(shè)置。那這種情況下的話我們不希望他的過沖太高，一般來講不能...
