KNF6165B場效應管漏源擊穿電壓650V，漏極電流10A，符合RoHS標準，適用于音響功...KNF6165B場效應管漏源擊穿電壓650V，漏極電流10A，符合RoHS標準，適用于音響功放、適配器、充電器和SMPS備用電源等多種應用場景，RDS（ON）典型值為0.75Ω，在VGS...
KNP1906B場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，RDS（開）在VGS=10V時為2.7m?...KNP1906B場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，RDS（開）在VGS=10V時為2.7m?，在電源、光伏逆變器和鋰電保護板等應用中具有出色的性能表現；1906場效應管采用無...
KNB3308A場效應管是一款漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A的出色器件，RDS（ON）值...KNB3308A場效應管是一款漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A的出色器件，RDS（ON）值為6.2mΩ（在VGS=10V時為典型值），優異的低導通電阻特性能夠降低導通損耗，還具有高...
KNX3006A是一款高堅固性的場效應管，漏源擊穿電壓68V，漏極電流120A，表現出優...KNX3006A是一款高堅固性的場效應管，漏源擊穿電壓68V，漏極電流120A，表現出優秀的性能；RDS（ON）=5.8mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低柵極電荷（107nC），經過改進...
KNX3106N場效應管具有漏源擊穿電壓高達60V和漏極電流可達110A的強大特性，RDS（...KNX3106N場效應管具有漏源擊穿電壓高達60V和漏極電流可達110A的強大特性，RDS（ON）在VGS為10V時表現出色，僅為7mΩ（典型值），表現出卓越的導通能力；采用了專有...
KCX2213A場效應管是一款具有高堅固性的SGT MOSFET技術產品，漏源擊穿電壓135V，...KCX2213A場效應管是一款具有高堅固性的SGT MOSFET技術產品，漏源擊穿電壓135V，漏極電流可達200A，表現出優秀的性能；RDS（ON）僅為2.9mΩ（典型值）@VGS=10V，具...
