ncep60t20代換場效應(yīng)管KNX1906漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大值為230A；RDS (o...ncep60t20代換場效應(yīng)管KNX1906漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大值為230A；RDS (on) = 2.7mΩ(typ)@VGS =10V。KNX1906具有無鉛綠色設(shè)備、降低導(dǎo)電損耗、高雪崩電流等...
irf?3205場效應(yīng)管代換KNX3206A漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大值為110A；RDS (...irf?3205場效應(yīng)管代換KNX3206A漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大值為110A；RDS (on) = 6.5mΩ(typ)@VGS =10V。KNX3206A具有低RDS（ON)以減小導(dǎo)電損耗、低門電荷在快...
hy1603場效應(yīng)管代換KNX3403A漏源擊穿電壓30V，漏極電流最大值為85A；RDS (on) ...hy1603場效應(yīng)管代換KNX3403A漏源擊穿電壓30V，漏極電流最大值為85A；RDS (on) = 4.5mΩ(typ)@VGS =10V。KNX3403A具有無鉛綠色設(shè)備、降低導(dǎo)電損耗、高雪崩電流等特...
KIA3506A漏源擊穿電壓60V，漏極電流為70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；...KIA3506A漏源擊穿電壓60V，漏極電流為70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；具有超低電阻、高UIS和UIS 100%測試；KIA3506A可以代換RU6070L、CEP6086、STF140N6...
低內(nèi)阻MOS管KIA50n06漏源擊穿電壓60V，漏極電流為50A，RDS(on) =10.5m@ VGS =1...低內(nèi)阻MOS管KIA50n06漏源擊穿電壓60V，漏極電流為50A，RDS(on) =10.5m@ VGS =10V；具有低Rds開啟，可將傳導(dǎo)損耗降至最低、高雪崩電流等特點(diǎn)；KIA50n06可以代換SQD...
低壓小功率MOS管KIA30N06B漏源擊穿電壓60V，漏極電流為25A，RDS(on) =25mΩ@ V...低壓小功率MOS管KIA30N06B漏源擊穿電壓60V，漏極電流為25A，RDS(on) =25mΩ@ VDS=60V；先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)制造，封裝形式：TO-251/252。KIA30N06B3場效應(yīng)管可以...
