KNX7150A漏源擊穿電壓高達500V，漏極電流為20A；RDS（on）,typ.（典型值）=0.2...KNX7150A漏源擊穿電壓高達500V，漏極電流為20A；RDS（on）,typ.（典型值）=0.24Ω@Vgs=10V，封裝形式：TO-3P、TO-220、TO-220F，KNX7150A可以作為20n50場效應管代...
KIA28N50場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，RDS（on）（典型值）=0.16mΩ...KIA28N50場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低柵極電荷、低Crss，最小化開關損耗，以及100%雪崩Aested、提高dv/...
KIA50N03CD是一款漏源擊穿電壓30V, 漏極電流最大值為50A ,RDS(on) =6.5mΩ(typ...KIA50N03CD是一款漏源擊穿電壓30V, 漏極電流最大值為50A ,RDS(on) =6.5mΩ(typ)@VGS=10V，性能優質的場效應管，非常適合應用在潛水泵控制板上，KIA50N03CD可最大限...
6140S N溝道增強型硅柵極功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如開關...6140S N溝道增強型硅柵極功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計，如開關穩壓器、開關轉換器、螺線管、電機驅動器、繼電器驅動器。knp6140漏源擊穿電壓400V,...
irfp3206場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大為200A；RDS（on）（典型值）=...irfp3206場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大為200A；RDS（on）（典型值）=2.4mΩ@Vgs=10V。60v 200a場效應管irfp3206型號適合應用于：開關電源中的高效同步整...
ncep15t14場效應管VDS =150V，ID =140A，RDS(ON) <6.2mΩ @ VGS=10V，能夠使用...ncep15t14場效應管VDS =150V，ID =140A，RDS(ON) <6.2mΩ @ VGS=10V，能夠使用KIA半導體的KNX2915A型號替代，KNX2915A漏源擊穿電壓150V，漏極電流最大為130A；RDS...
