MOS器件的特性受電源電壓和環(huán)境溫度的影響，不過由于構(gòu)成CMOS的p溝、n溝晶體管...MOS器件的特性受電源電壓和環(huán)境溫度的影響，不過由于構(gòu)成CMOS的p溝、n溝晶體管受影響發(fā)作變化的狀況相同，其結(jié)果在特性方面有時簡直沒有變化。例如，輸入輸出電壓...
集成化的柵極驅(qū)動器件 ?? ?在理論上，集成化的柵極驅(qū)動器件的應(yīng)用更為...集成化的柵極驅(qū)動器件 ?? ?在理論上，集成化的柵極驅(qū)動器件的應(yīng)用更為普遍。用于VMOS驅(qū)動的集成化器件大致有圖5. 84所示的幾類，它們的基本特性如表5.9所...
早期的功率MOSFET常常會由于漏-源極的電流或者電壓的變化速率太快而失控，或者...早期的功率MOSFET常常會由于漏-源極的電流或者電壓的變化速率太快而失控，或者形成漏-源極的擊穿損壞。而在大功率的高速開關(guān)電路中，純阻性負載是很少見的，即便外...
你要想一個問題：現(xiàn)在淘寶越來越嚴格，將來淘寶的流量為什么要給你？一定是你可...你要想一個問題：現(xiàn)在淘寶越來越嚴格，將來淘寶的流量為什么要給你？一定是你可以發(fā)明最大的流量價值，也就是說，流量進到你的店鋪后，你的轉(zhuǎn)化率、客單價都是優(yōu)秀...
就VMOS的開關(guān)而言，分布參數(shù)的主要要素是結(jié)電容，其他影響要素還包括引線、端電...就VMOS的開關(guān)而言，分布參數(shù)的主要要素是結(jié)電容，其他影響要素還包括引線、端電極、PN結(jié)、管芯本體（基區(qū)）的等效分布電容和分布電感，工作頻率越高，上述“其他要...
CMOS器件具有宏大市場的最大理由就是功率耗費低。正如將CMOS反相器電路（圖10....CMOS器件具有宏大市場的最大理由就是功率耗費低。正如將CMOS反相器電路（圖10.4）置換為等效電路（圖10.5）時所看到的那樣，不管輸入的信號是“L”電平還是“H”電...
