KCB2908A場效應管漏源擊穿電壓85V，漏極電流130A，采用先進的SGT技術設計，極低...KCB2908A場效應管漏源擊穿電壓85V，漏極電流130A，采用先進的SGT技術設計，極低導通電阻RDS(on) 3.7mΩ，出色的柵極電荷，可最大限度地減少導電損失，減少開關損耗...
當S1A為低電平的時候，MOS管Q3導通，S1A與S2A導通，S2A端被拉低到0V，實現(xiàn)兩端...當S1A為低電平的時候，MOS管Q3導通，S1A與S2A導通，S2A端被拉低到0V，實現(xiàn)兩端都為低電平。 當S1A為高電平的時候，MOS管Q3關斷，S2A端由上拉電阻（上圖中的 R28）...
結型場效應管（JFET）、絕緣柵型場效應管（MOSFET），結型場效應管分為N溝道和...結型場效應管（JFET）、絕緣柵型場效應管（MOSFET），結型場效應管分為N溝道和P溝道；絕緣柵型分為增強型和耗盡型（N溝道和P溝道）。 JFET和MOSTFET之間的主要區(qū)...
FET（場效應晶體管）主要分為結型場效應管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應管...FET（場效應晶體管）主要分為結型場效應管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）和金屬-半導體場效應管（MESFET）、調制摻雜場效應管（MODFET）等。
MOS管在開關電路中扮演著重要的角色。其優(yōu)異的電性能使得它能夠高效地控制電路...MOS管在開關電路中扮演著重要的角色。其優(yōu)異的電性能使得它能夠高效地控制電路的通斷，實現(xiàn)精確的開關功能。
