這一步主要是確定板子和管子的基本狀態是否正常，首先利用萬用表測量一下功放柵...這一步主要是確定板子和管子的基本狀態是否正常，首先利用萬用表測量一下功放柵極對地、漏極對地的電阻是否正常，確定管子是否損壞；再檢查一下電路板的狀態，有無...
KIA半導體近期推出了幾款采用 TOLL 封裝的 NMOS 產品。相比 TO-263-6L，TOLL占...KIA半導體近期推出了幾款采用 TOLL 封裝的 NMOS 產品。相比 TO-263-6L，TOLL占板面積縮小30％，高度減小50％，節省了寶貴的 PCB 應用空間，而且熱阻更小從而散熱效...
截止區：iDS為0，Vo恒為Vs。 飽和區：對應電流源模型，Vo隨Vin快速變化。 線...截止區：iDS為0，Vo恒為Vs。 飽和區：對應電流源模型，Vo隨Vin快速變化。 線性區：對應電阻模型，Vo隨Vin緩慢變化。
圖 1 顯示了處于開關瞬態階段的 SiC MOSFET 建模過程，該過程基于電感鉗位電路...圖 1 顯示了處于開關瞬態階段的 SiC MOSFET 建模過程，該過程基于電感鉗位電路，該電路具有很少的關鍵寄生參數 Cgs、Cds 和 Cgd。由于寄生參數對 SiC MOSFET 的特...
方案1可以設置R1，C1，R2，C2的數值以完成不同的延時，從而可以改變上電順序，...方案1可以設置R1，C1，R2，C2的數值以完成不同的延時，從而可以改變上電順序，但是有缺點，因為在供電回路中串聯了電阻，如果是給功放等大功率的器件供電，會產生...
