設(shè)備開(kāi)啟時(shí)，按下按鍵“KEY”，此時(shí)mos管導(dǎo)通，漏極變成5V，整個(gè)系統(tǒng)供電，MCU...設(shè)備開(kāi)啟時(shí)，按下按鍵“KEY”，此時(shí)mos管導(dǎo)通，漏極變成5V，整個(gè)系統(tǒng)供電，MCU正常工作，并檢查“KEY1”引腳電平，當(dāng)為低電平時(shí)，可在程序中加入延時(shí)，而后再次判...
利用PMOS設(shè)計(jì)一個(gè)開(kāi)關(guān)電路，實(shí)現(xiàn)一款設(shè)備的開(kāi)關(guān)控制。被控設(shè)備12V供電，供電電...利用PMOS設(shè)計(jì)一個(gè)開(kāi)關(guān)電路，實(shí)現(xiàn)一款設(shè)備的開(kāi)關(guān)控制。被控設(shè)備12V供電，供電電流小于3A即可。且為了提高響應(yīng)速度，使流過(guò)該設(shè)備的電流盡可能的大。該設(shè)備內(nèi)阻大約...
MOS需要工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，希望盡可能快地關(guān)閉，盡可能快地打開(kāi)。因?yàn)樵诖蜷_(kāi)或關(guān)...MOS需要工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，希望盡可能快地關(guān)閉，盡可能快地打開(kāi)。因?yàn)樵诖蜷_(kāi)或關(guān)閉的過(guò)程中，MOS管上會(huì)有功耗。雖然MOS是電壓驅(qū)動(dòng)，但柵源之間有較大的結(jié)電容。
三相直流無(wú)刷電機(jī)（包括BLDC和PMSM）功率級(jí)驅(qū)動(dòng)電路使用6個(gè)N溝道功率MOS構(gòu)成三...三相直流無(wú)刷電機(jī)（包括BLDC和PMSM）功率級(jí)驅(qū)動(dòng)電路使用6個(gè)N溝道功率MOS構(gòu)成三相全橋，分為三個(gè)連接到電源正極（VBus）的高邊MOS和三個(gè)連接到電源負(fù)極的低邊MOS。...
PMOS管是壓控型器件，|Vgs|電壓大于|Vth|電壓時(shí)，內(nèi)部溝道在場(chǎng)強(qiáng)的作用下導(dǎo)通，...PMOS管是壓控型器件，|Vgs|電壓大于|Vth|電壓時(shí)，內(nèi)部溝道在場(chǎng)強(qiáng)的作用下導(dǎo)通，|Vgs|電壓小于|Vth|電壓時(shí)，內(nèi)部溝道截止; |Vgs|電壓越高，內(nèi)部場(chǎng)強(qiáng)越大，導(dǎo)通程度...
