選頻即從輸入信號中選擇出有用頻率分量而抑制掉無用頻率分量或噪聲。在通信電子...選頻即從輸入信號中選擇出有用頻率分量而抑制掉無用頻率分量或噪聲。在通信電子電路中，LC并聯(lián)諧振回路作為選頻網(wǎng)絡(luò)而使用是最普遍的，它廣泛地應(yīng)用于高頻小信號放...
在電感和電容并聯(lián)的電路中，當電容的大小恰恰使電路中的電壓與電流同相位，即電...在電感和電容并聯(lián)的電路中，當電容的大小恰恰使電路中的電壓與電流同相位，即電源電能全部為電阻消耗，成為電阻電路時，叫作并聯(lián)諧振。 并聯(lián)諧振是一種完全的補償...
在電阻、電感及電容所組成的串聯(lián)電路內(nèi)，當容抗XC與感抗XL相等時，即XC=XL，電...在電阻、電感及電容所組成的串聯(lián)電路內(nèi)，當容抗XC與感抗XL相等時，即XC=XL，電路中的電壓U與電流I的相位相同，電路呈現(xiàn)純電阻性，這種現(xiàn)象叫串聯(lián)諧振。當電路發(fā)生...
如圖1所示將兩個三極管串聯(lián)（如級聯(lián)型三極管或共源共柵拓撲）可能會降低從輸入...如圖1所示將兩個三極管串聯(lián)（如級聯(lián)型三極管或共源共柵拓撲）可能會降低從輸入到輸出的總電容。鑒于上管排電壓固定，上三極管的陰極電壓通過下三極管控制。當開發(fā)...
寄生電感是SiC MOSFET的VDS峰值和振鈴的主要成因。從關(guān)閉波形（圖1）中看，柵源...寄生電感是SiC MOSFET的VDS峰值和振鈴的主要成因。從關(guān)閉波形（圖1）中看，柵源電壓（VGS）從18V至0V。關(guān)閉時的漏極電流（ID）為50A，VDS為800V。SiC MOSFET的高開...
