場效應(yīng)管與晶閘管有什么不同？-KIA MOS管

場效應(yīng)管和晶閘管區(qū)別

關(guān)于這兩個電子器件在很多電路中都會遇到，比如場效應(yīng)管可以作為電磁爐中的開關(guān)振蕩管、電瓶車充電器電路中作為開關(guān)管使用，場效應(yīng)管尤其在電腦主板中用的比較多；

對于晶閘管，俗稱可控硅，晶閘管用的也非常多，比如在一些調(diào)速風(fēng)扇的電路中就能夠見到可控硅、在智能調(diào)光電路中也是用的可控硅和在洗衣機(jī)電路中都可以用到可控硅，下面來看看這兩個器件有何區(qū)別。

一、場效應(yīng)管與晶閘管的控制方式不同

1、場效應(yīng)管

隨著電子技術(shù)不斷進(jìn)步，場效應(yīng)管的種類有好幾種，最常見的有結(jié)型場效應(yīng)管（FET管）和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET管）這兩類。

這兩類場效應(yīng)管都有一個共同的特點，它們都是利用半導(dǎo)體內(nèi)的電場效應(yīng)來控制場效應(yīng)管電流大小的，下面用金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，也就是俗稱的MOS管來說明這個問題。

比如下圖的N溝道場效應(yīng)管，當(dāng)柵極與源極間的Ugs電壓大于一定值時，并且Uds大于零，這時Rds的等效電阻非常小，就可以有較大的電流由漏極流向源極，它們之間就好像用一根導(dǎo)線連起來一樣。

2、晶閘管

晶閘管，它是一個功率半導(dǎo)體器件，是在二極管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，可用于整流半導(dǎo)體器件。

下面說說如何控制它的通斷，要使晶閘管導(dǎo)通要滿足兩個條件，第一個是要給晶閘管的控制極G加一個觸發(fā)信號，也就是在門極G和晶閘管的陰極K之間加一個足夠大的正向電流與電壓，同時呢晶閘管的陽極要高于陰極，這樣陽極A與陰極K之間的等效電阻就非常小了，就像用導(dǎo)線連接起來一樣。

當(dāng)要關(guān)斷晶閘管時，只要把陽極A與陰極K之間的電流減小到一定值的時候，這個晶閘管的陽極A與陰極K之間就像斷開一樣，無法有電流通過。或者把晶閘管的陽極A的電壓低于陰極K的電壓也可以關(guān)斷這個晶閘管。

通過上面的分析我們可以知道，場效應(yīng)管與晶閘管的控制方式是不同的，場效應(yīng)管是電壓控制其通斷的半導(dǎo)體器件，我們稱它是壓控型器件；

晶閘管的控制方式是由一定的電流值來觸發(fā)晶閘管的導(dǎo)通，我們俗稱它是流控型器件而且它是一個半控型半導(dǎo)體器件，也就是說晶閘管的門控極G只能控制晶閘管的導(dǎo)通而不能控制晶閘管的關(guān)斷。

二、場效應(yīng)管與晶閘管的輸入電阻不同

場效應(yīng)管的直流等效輸入電阻非常高，其阻值可以達(dá)到10九次方歐姆，對于MOSFET管來說最高可以達(dá)到10十五次方歐姆，鑒于這樣的特點來說由場效應(yīng)管組成的電路功耗都比較小、它的穩(wěn)定性和抗干擾能力都很強(qiáng)，所以現(xiàn)在很多集成芯片中都采用的是場效應(yīng)管組成的集成電路，有的工作電壓可以低到2V以下。

而對與晶閘管組成的電路來說在輸入直流等效電阻方面它比較低、這樣就決定了它的功耗非常大，抗干擾能力遠(yuǎn)不如場效應(yīng)管，這也就說明了晶閘管組成的電路它的穩(wěn)定性也不如場效應(yīng)管。

三、場效應(yīng)管與晶閘管的作用不同

從它們的組成結(jié)構(gòu)可以看出，對于場效應(yīng)管來說它可以放大信號，因此可以用在放大電路中作為放大器來用，也可以作為高速電子開關(guān)控制負(fù)載的通斷，比如開關(guān)電源中的場效應(yīng)管就起到這個功能，同時運用場效應(yīng)管還可以實現(xiàn)調(diào)速控制，比如PWN波的調(diào)制輸出、令外在調(diào)光電路、調(diào)溫電路等都可以用到。

從晶閘管的工作過程來看它不能用來放大電路的信號，因此它是不可以作為器放大器來使用的。一般晶閘管用在整流電路和控制大負(fù)載電路中。當(dāng)它作為電子開關(guān)使用時，其工作頻率也沒有場效應(yīng)管高，一般只能用在低速控制的場合。

四、場效應(yīng)管與晶閘管的集成度不同

從場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)可以看出它的結(jié)構(gòu)相對來說比較簡單，尤其在制造工藝上要比晶閘管簡單許多，再加上其功耗小，噪聲低同時熱穩(wěn)定性也很好，抗輻射能力也強(qiáng)。

對于集眾多優(yōu)點于一身的它在大規(guī)模和超大規(guī)模的集成電路中都會被用到，對于晶閘管來說就無法做到這一點。

五、場效應(yīng)管與晶閘管的“短板”不一樣

場效應(yīng)管在平時儲存保管的時候?qū)o電要求非常高，由于MOS管的輸入阻抗非常高，在MOS管不使用的時候一定要將柵極G、源極S和漏極D這三個電極短接在一起，這樣可以防止場效應(yīng)管因靜電場的電壓較高使場效應(yīng)管損壞。

所以場效應(yīng)管的弱點是對靜電的要求比較嚴(yán)格。因此我們在焊接場效應(yīng)管時所使用的電烙鐵要有外接地線，這樣可以屏蔽掉交流電場，防止場效應(yīng)管遭到損壞；

當(dāng)焊接場效應(yīng)管時，特別是MOSFET管時，都是先把烙鐵的電源斷掉，然后用烙鐵的余熱去焊接場效應(yīng)管。而對于晶閘管來說，它的“軟肋”是過電流的能力比較差，在組成電路時要設(shè)計很多的保護(hù)環(huán)節(jié)，使用相對比較麻煩。

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