用理論告訴你 三極管和MOS管的區(qū)別在哪-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2017-09-21
在電路設(shè)計當中假設(shè)我們想要對電流中止控制，那就少不了三極管的幫助。我們俗稱的三極管其全稱為半導體三極管，它的主要作用就是將微小的信號中止放大。MOS管與三極管有著許多相近的地方，這就使得一些新手不斷無法明白兩者之間的區(qū)別，本篇文章就將為大家引見三極管和MOS管的一些不同。
關(guān)于三極管和MOS管的區(qū)別，我們簡單總結(jié)了幾句話便當大家理解。
從性質(zhì)上來說：三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制。
從本錢上來說：三極管低價，MOS管貴。
關(guān)于功耗問題：三極管損耗大。
驅(qū)動能力上的的不同：MOS管常用于電源開關(guān)以及大電流地方開關(guān)電路。
理論上，就是三極管操作便當且價錢低廉，經(jīng)常用于數(shù)字電路的開關(guān)控制當中。而MOS管用于高頻高速電路，大電流場所，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的中央。所以普通來說低本錢場所，普通應(yīng)用的先思索用三極管，不行的話建議用MOS管。
理論上說電流控制慢，電壓控制快這種理解是不對的。要真正理解得了解雙極晶體管和mos晶體管的工作方式才干明白。三極管是靠載流子的運動來工作的，以npn管射極跟隨器為例，當基極加不加電壓時，基區(qū)和發(fā)射區(qū)組成的pn結(jié)為阻止多子(基區(qū)為空穴，發(fā)射區(qū)為電子)的擴散運動，在此pn結(jié)處會感應(yīng)出由發(fā)射區(qū)指向基區(qū)的靜電場(即內(nèi)建電場)，當基極外加正電壓的指向為基區(qū)指向發(fā)射區(qū)，當基極外加電壓產(chǎn)生的電場大于內(nèi)建電場時，基區(qū)的載流子(電子)才有可能從基區(qū)流向發(fā)射區(qū)，此電壓的最小值即pn結(jié)的正導游通電壓(工程上普通以為0.7v)。
但此時每個pn結(jié)的兩側(cè)都會有電荷存在，此時假設(shè)集電極-發(fā)射極加正電壓，在電場作用下，發(fā)射區(qū)的電子往基區(qū)運動(理論上都是電子的反方向運動)，由于基區(qū)寬度很小，電子很容易越過基區(qū)抵達集電區(qū)，并與此處的PN的空穴復(fù)合(靠近集電極)，為維持平衡，在正電場的作用下集電區(qū)的電子加速外集電極運動，而空穴則為pn結(jié)處運動，此過程類似一個雪崩過程。
集電極的電子經(jīng)過電源回到發(fā)射極，這就是晶體管的工作原理。三極管工作時，兩個pn結(jié)都會感應(yīng)出電荷，當開關(guān)管處于導通狀態(tài)時，三極管處于飽和狀態(tài)，假設(shè)這時三極管截至，pn結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài)，這個過程需求時間。而MOS與三極管工作方式不同，沒有這個恢復(fù)時間，因此可以用作高速開關(guān)管。
下面針對一些電路設(shè)計當中會呈現(xiàn)的情況，列出了幾種MOS管和三級管的選擇規(guī)律：
(1)MOS管是電壓控制元件，而三級管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用MOS管;而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用三極管。
(2)電力電子技術(shù)中提及的單極器件是指只靠一種載流子導電的器件，雙極器件是指靠兩種載流子導電的器件。MOS管是應(yīng)用一種多數(shù)載流子導電，所以稱之為單極型器件，而三極管是既有多數(shù)載流子，也應(yīng)用少數(shù)載流子導電。被稱之為雙極型器件。
(3)有些MOS管的源極和漏極可以互換運用，柵壓也可正可負，靈活性比三極管好。
(4)MOS管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很便當?shù)匕押芏郙OS管集成在一塊硅片上，因此MOS管在大范圍集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。
(5)MOS管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點，因而也被普遍應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。特別用MOS管做整個電子設(shè)備的輸入級，可以獲得普通三極管很難抵達的性能。
(6)MOS管分紅結(jié)型和絕緣柵型兩大類，其控制原理都是一樣的。
本篇文章與眾不同的是，并沒有用過多的篇幅對MOS管和三極管在概念上的區(qū)別進行對比。而是從實踐出發(fā)，用實際發(fā)生的情況和現(xiàn)象來對兩者進行區(qū)分，比單純概念性上的講解更加容易理解并方便記憶
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