雙脈沖測試原理,雙脈沖測試原理圖詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-02-22
IGBT是電力控制和電力轉換的核心器件，是由BJT（雙極型晶體管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，具有高輸入阻抗，低導通壓降，高速開關特性和低導通狀態損耗等特點，非常適合高電壓和高電流的光伏逆變器、儲能裝置和新能源汽車等電力電子應用。
雙脈沖測試
為了評估功率器件的動態參數，通常采取的測量方法是雙脈沖測試。通過兩個脈沖，去控制器件的開關開關，然后測試在開關過程中的一些參數指標。
對比不同開關管參數及性能，同時可以獲取開關管開關過程中的參數，評估驅動電阻數值是否合適，是否需要吸收電路等。而且可以考量開關管在實際電路中的實際表現，反向恢復電流，關斷電壓尖峰，開通關斷時間等。
將雙脈沖電壓加在在DUT的VGS上。當第一個脈沖施加之后，DUT處于導通狀態，而上面的管子一直處于關閉狀態，那么電流就順著紅色箭頭的方向，通過電感從上往下流過DUT，由于電感的電流不能瞬變，所以導通電流有一個從零開始逐漸增加到最大的過程。
電流上升的斜率可以用U/L得到。如母線電壓是1000V，電感是100uH，那么電流從零上升到100A的時間就是10us。
當電流達到最大（如100A），那就可以把DUT關閉了，那DUT管子會直接斷開。這時可以測試管子關斷過程中的一些參數，比如關斷時間、關斷損耗、關斷時的VDS震蕩等。
那么在關斷期間，由于電感的電流不能瞬變，所以這個電流會繼續順著箭頭的方向進行續流，所以上面這個管子又叫續流管。那這個過程中由于時間非常短，我們可以認為電感上的電流是不變的。
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