6n60場效應管,6n60場效應管參數,4560A中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-02-23
正向電流：6A
反向耐壓：600V
漏極和源極電壓(VDSS)：600V
漏極和源極通態電阻(RDS(on))：1.2Ω
耗散功率(PD)：125W
KND4560A場效應管漏源電壓600V，漏極電流6A，RDS（ON）為1.4Ω（在VGS=10V時的典型值）；具有TO-251、252封裝形式可供選擇，方便安裝使用。KND4560A能夠替代士蘭微、ST、華晶的SVF6N60D、STF6N60、CS6N60A3型號進行使用，是一款優質穩定、性價比高的國產MOS管。
KND4560A采用低柵極電荷最小化設計，能夠快速開關，保證電路的穩定性；快速恢復體二極管，有效防止電壓反向時的損壞，保護整個電路系統。符合RoHS標準，具有優良的性能和可靠性；能夠有效降低開關損耗，提高電路效率。
漏源電壓：600V
漏極電流：6A
漏源通態電阻(RDS(on))：1.4Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：24A
雪崩能量單脈沖：250MJ
最大功耗：83W
輸入電容：700PF
輸出電容：75PF
反向傳輸電容：8PF
開通延遲時間：10nS
關斷延遲時間：32nS
上升時間：13ns
下降時間：16ns
KND4560A場效應管適用于適配器、充電器、SMPS備用電源等多種場合，廣泛應用于電源管理、電子設備及工業控制等領域。其性能穩定可靠，反應速度快，能夠滿足高效能、高頻率等需求。小巧的封裝設計，使其在電路板上占據較小空間，有利于整體設計的緊湊性。優化的工藝技術確保了其穩定性和可靠性，為各種電源管理應用提供了可靠的解決方案。
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