P30v,P40v,P60v低壓MOS,場效應管,國產原廠-KIA MOS管

P30v,P40v,P60v低壓MOS管參數

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P30v MOS,KIA3409參數引腳圖

KIA3409采用先進的溝槽技術，提供出色的RDS（導通）和低柵極電荷。該器件適用于負載開關或PWM應用。標準產品KIA3409不含鉛（符合ROHS和Sony 259規范）。

VDS(V)=-30V

ID=-2.6A

RDS(on)<130mΩ(VGS=-10V,ID=-2.6A)

RDS(on)<200mΩ(VGS=-4.5V,ID=-2.0A)

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P40v MOS,KPX3404A參數引腳圖

漏極電流 (ID) ：-80A

漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) ：-40V

柵極電荷（Qg）：115 nC

功耗 (PDM) ：58W

RDS（ON）=5mΩ（典型值）@VGS=-10V

P40v MOS,KPX3404A特性：超低柵極電荷、100%EAS保證、綠色設備可用、出色的CdV/dt效應下降、先進的高單元密度溝槽。

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KIA半導體MOS管具備強大的核心競爭力，是開關電源生產廠家的優質選擇。KIA半導體MOS管廠家主要研發、生產、經營：場效應管（MOS管）、COOL MOS（超結場效應管）、三端穩壓管、快恢復二極管；廣泛應用于逆變器、鋰電池保護板、電動車控制器、HID車燈、LED燈、無刷電機、礦機電源、工業電源、適配器、3D打印機等領域；可申請免費送樣以及報價、技術支持服務。

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