mos管尖峰吸收電路,MOS管開(kāi)關(guān)電路-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2024-05-17
MOS管開(kāi)關(guān)電路尖峰電流吸收電路分析：
說(shuō)明：此種方法雖然能夠使支路上的電流削峰，但同時(shí)導(dǎo)致了開(kāi)關(guān)速率變慢，謹(jǐn)慎參考，還需優(yōu)化。
由于MOS管極間寄生電容的存在，尤其是漏極/柵極電容，導(dǎo)致了MOS管開(kāi)關(guān)產(chǎn)生了電流尖峰，而電流尖峰可以看成是一個(gè)沖激信號(hào)，根據(jù)傅里葉變換可知，沖激信號(hào)在頻域范圍很寬，繼而此開(kāi)關(guān)電路可能會(huì)影響后續(xù)硬件測(cè)試，例如功放中引入雜波。
電路如下，其中R7接信號(hào)發(fā)生器（1KHz方波），控制MOS管通斷，R12和二極管D1是MOS管寄生電容放電電路：
觀察可以發(fā)現(xiàn)，R7與R12上有著尖峰電流。
此時(shí)分析如下，由于每次寄生電容放電以及二極管的反向恢復(fù)電流會(huì)產(chǎn)生尖峰電流，現(xiàn)去掉二極管，并在MOS管柵極和源極接入電容C2和電阻R6，使得每次低電平來(lái)時(shí)，寄生電容放電給電容C2充電，以此削峰。
但需要注意的是開(kāi)關(guān)時(shí)間從原來(lái)的20us延長(zhǎng)至了100us，不適合高速電路了。
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