MOS管開關電路,開關電路圖實例分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-05-31
導通條件：Vgs＞Vth，R1、R2的作用是為了給G、S之間創造一個Vgs電壓，不需要去關心G、D之間的電壓關系（只要沒有達到擊穿電壓）。另外S極不一定需要接地，只需要滿足Vg與Vs之間的一個電勢差大于Vth，MOS管依然能夠起到一個開關作用。
需要注意的事項：
（1）注意IO口的最大驅動峰值電流，不同芯片的IO口驅動能力不一樣。
（2）了解MOS管的寄生電容，如果寄生電容值較大，導通需要的能量越大，如果IO口的輸出電流峰值較小，管子導通就相對較慢。
這里我們使用NPN和NMOS管進行開關設計（如圖四），當Q2輸入低電平時候，三極管Q2不導通，MOS管Q1的Vgs=0，MOS管Q1不導通。當Q2輸入電平為高時，三極管導通，MOS管Q1的Vgs＞Vth，MOS管Q1導通。
需要注意的事項：
（1）注意MOS管 D、S之間的二極管的方向，不導通的時候，二極管方向應該與電源輸出方向相反。
（2）由于MOS管導通的時候存在內阻，所以MOS管輸出電壓小于實際輸入電壓。
總結：在選MOS管做開關時，首先選MOS管的Vds電壓和其Vth開啟電壓，再就是Id電流值是否滿足系統需要，雖然在這些都滿足的條件下，我們也不能忘記關于MOS管所產生的寄生電容，當我們選擇的控制IO口由于帶載能力較弱，而MOS管之間存在較大的寄生電容，這時我們的開關就不能及時響應，然后再考慮封裝、功耗、價格之類次要一些的因素，以上是用N溝道MOS管舉例，P溝道MOS管基本也是一樣的原理。
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