提高晶體管開關速度的途徑,方法圖文-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-21
在BJT采用電壓驅動時，雖然減小基極外接電阻和增大基極反向電壓，可以增大抽取電流，這對于縮短存儲時間和下降時間都有一定的好處。但是，若基極外接電阻太小，則會增大輸入電流脈沖的幅度，將使器件的飽和程度加深而反而導致存儲時間延長；若基極反向電壓太大，又會使發射結反偏嚴重而增加延遲時間，所以需要全面地進行折中考慮。
為了通過增大基極驅動電流來減短延遲時間和上升時間的同時、又不要增長存儲時間和產生其它的副作用，理想的基極輸入電流波形應該是如圖所示階梯波的形式，這樣的階梯波輸入即可克服上述矛盾，能夠達到提高開關速度的目的。
實際上，為了實現理想的基極電流波形，可以方便地采用下圖所示的基極輸入回路（微分電路），圖中與基極電阻RB并聯的CB就稱為增速電容器。在基極輸入回路中增加一個增速電容器之后，雖然輸入的電流波形仍然是方波，但是通過增速電容器的作用之后，所得到的實際基極輸入電流波形就變得很接近于理想的基極電流波形了，于是就可以減短開關時間、提高開關速度。
利用肖特基箝位也是提高晶體管開關速度的另外一種方法，如圖，肖特基箝位在基極-集電極之間，這種二極管開關速度快，正向壓降比PN結小，準確來說叫做肖特基勢壘二極管。
由于肖特基二極管的正向壓降比晶體管的Vbe小，因此，本來應該流過晶體管的大部分基極電流通過D1被旁路掉了，這時候流過晶體管的基極電流非常小，所以可以認為這時晶體管的導通狀態很接近截止狀態。
如下圖，上面的B點的波形，下面的是A點的波形，可以看出來，晶體管由導通到截止的滯后時間幾乎為零，由截止到導通上升沿不是很抖是因為密勒效應增加了晶體管的輸入電容的結果。
肖特基箝位可以看做是改變晶體管的工作點，減小電荷存儲效應的影響，提高開關速度的方法，肖特基箝位電路不像接入加速電容那樣會降低電路的輸入阻抗，所以當驅動開關電路的前級電路的驅動能力較低時，并且要求關斷速度快但是開啟速度不做要求的場合。
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