場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)對(duì)照表,場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)查詢(xún)-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2024-09-24
最大額定參數(shù)：包括最大漏-源電壓（VDSS）、最大柵源電壓（VGS）等。
最大漏-源電壓（VDSS）：在柵源短接時(shí)，漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。
最大柵源電壓（VGS）：柵源兩極間可以施加的最大電壓，防止電壓過(guò)高導(dǎo)致的柵氧化層損傷。
連續(xù)漏電流（ID）：在最大額定結(jié)溫下，管表面溫度在25℃或更高溫度下，可允許的最大連續(xù)直流電流。
脈沖漏極電流（IDM）：反映器件可以處理的脈沖電流的高低，脈沖電流要遠(yuǎn)高于連續(xù)的直流電流。
參數(shù)：額定電壓 - VR （Voltage Rating）MOSFET的最大允許電壓。
參數(shù)：額定電流 - IR （Current Rating）MOSFET在正常工作條件下能夠承受的最大電流。
參數(shù)：導(dǎo)通電阻 - RON （On-Resistance）MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下，源極和漏極之間的電阻值。導(dǎo)通電阻的大小直接影響MOSFET的功耗和發(fā)熱。
參數(shù)：開(kāi)關(guān)速度 - TON， TOFF （Switching Time）MOSFET的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)間，包括開(kāi)啟時(shí)間和關(guān)閉時(shí)間。開(kāi)關(guān)速度對(duì)于高頻應(yīng)用至關(guān)重要。
參數(shù)：閾值電壓 - VTH （Threshold Voltage）MOSFET開(kāi)始導(dǎo)通的最低電壓。閾值電壓越低，器件的開(kāi)關(guān)速度越快。
參數(shù)：雪崩耐量 - SURG （Surge Tolerance）MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時(shí)能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。
參數(shù)：結(jié)溫 - TJ （Junction Temperature）MOSFET內(nèi)部芯片的最高工作溫度。結(jié)溫過(guò)高可能導(dǎo)致器件性能下降或損壞。
參數(shù)：輸入電容 - Ciss， Cgs （Input Capacitance）MOSFET柵極與源極之間的電容。輸入電容的大小影響開(kāi)關(guān)速度和驅(qū)動(dòng)能力。參數(shù)：輸入電容 - Ciss， Cgs （Input Capacitance）
參數(shù)：輸出電容 - Coss， Cds （Output Capacitance）MOSFET漏極與源極之間的電容。輸出電容的大小影響開(kāi)關(guān)速度和驅(qū)動(dòng)能力。
參數(shù)：反向傳輸電容 - Crss， Cgd （Reverse Transfer Capacitance）MOSFET柵極與漏極之間的電容。反向傳輸電容的大小影響開(kāi)關(guān)速度和信號(hào)質(zhì)量。
漏源電壓（VDS）：MOSFET的漏極和源極之間的電壓。漏源電壓是MOSFET能夠承受的最大電壓，超過(guò)此電壓可能導(dǎo)致器件損壞。
漏源電流（IDS）：流過(guò)MOSFET漏極和源極之間的電流。漏源電流的大小直接影響MOSFET的功耗和發(fā)熱。
柵源電壓（VGS）：加在MOSFET柵極和源極之間的電壓。柵源電壓控制MOSFET的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，從而影響漏源電流的通斷。
驅(qū)動(dòng)電壓（VDRV）：驅(qū)動(dòng)電路提供的電壓，用于控制MOSFET的柵源電壓。驅(qū)動(dòng)電壓的大小和穩(wěn)定性影響MOSFET的開(kāi)關(guān)性能和可靠性。
動(dòng)態(tài)電阻（Ron）：在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET的漏源電阻隨漏源電流的變化而變化。動(dòng)態(tài)電阻越小，表示MOSFET的導(dǎo)電性能越好。
反向傳輸電容（Cgd）：MOSFET的柵極和漏極之間的電容。反向傳輸電容的大小影響開(kāi)關(guān)速度和信號(hào)質(zhì)量。
導(dǎo)通電阻（Ron）：是指當(dāng)MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，從源極到漏極的導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻越小，表示MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下有更好的導(dǎo)電能力，能夠傳輸更大的電流，也能提供更低的功耗。
泄漏電流（Igss）：是指MOSFET在關(guān)閉狀態(tài)下的漏電流。泄漏電流應(yīng)盡可能小，以確保在關(guān)閉狀態(tài)下無(wú)功率損失。
閾值電壓（Vth）：是指MOSFET開(kāi)始導(dǎo)通的電壓。
最大漏源電流（ID）：是指MOSFET正常工作時(shí)，漏源間所允許通過(guò)的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò)ID。此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。
最大脈沖漏源電流（IDM）：此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。
最大柵源電壓（VGS）：是指MOSFET正常工作時(shí)，加在柵極和源極之間的最大電壓。
漏源擊穿電壓（V（BR）DSS）：是指柵源電壓VGS為0時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于V（BR）DSS。它具有正溫度特性。故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮。
開(kāi)啟電壓（VGS（th））：當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓VGS超過(guò)VGS（th）時(shí)，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。應(yīng)用中，常將漏極短接條件下ID等于1毫安時(shí)的柵極電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所降低。
耗散功率（PD）：是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。
最大工作結(jié)溫（Tj）：通常為150℃或175℃，器件設(shè)計(jì)的工作條件下須確應(yīng)避免超過(guò)這個(gè)溫度，并留有一定裕量。
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