bms mos管,80a40v場(chǎng)效應(yīng)管,KNY3404D參數(shù)規(guī)格書-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2025-03-11
bms mos管KNY3404D漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 5.2mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提升效率；具有開(kāi)關(guān)速度快，內(nèi)阻低，耐沖擊特性好的特點(diǎn)；低柵極電荷、低反向傳輸電容、改進(jìn)的dv/dt能力、100%雪崩測(cè)試，穩(wěn)定可靠、性能優(yōu)越；廣泛應(yīng)用于PWM應(yīng)用程序、電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等；封裝形式：DFN5*6。
漏源電壓：40V
漏極電流：80A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：320A
單脈沖雪崩能量：210MJ
功率耗散：64W
閾值電壓：1.5V
總柵極電荷：58nC
輸入電容：2680PF
輸出電容：250PF
反向傳輸電容：225PF
開(kāi)通延遲時(shí)間：7.3nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：22nS
上升時(shí)間：16ns
下降時(shí)間：13ns
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