一般來(lái)說(shuō)，開(kāi)關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通...一般來(lái)說(shuō)，開(kāi)關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過(guò)程”和“關(guān)閉過(guò)程”，小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為...
下面的電路摘自實(shí)際LED照明電路的相關(guān)部分。該LED驅(qū)動(dòng)電路是DC/DC轉(zhuǎn)換器通過(guò)臨...下面的電路摘自實(shí)際LED照明電路的相關(guān)部分。該LED驅(qū)動(dòng)電路是DC/DC轉(zhuǎn)換器通過(guò)臨界模式（BCM）的PFC向LED供電的。
雙脈沖測(cè)試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開(kāi)關(guān)元件特性評(píng)估的一種測(cè)試方法。該...雙脈沖測(cè)試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開(kāi)關(guān)元件特性評(píng)估的一種測(cè)試方法。該測(cè)試不僅可以評(píng)估對(duì)象元件的開(kāi)關(guān)特性，還可以評(píng)估體二極管和IGBT一同使用的快速恢復(fù)...
下圖說(shuō)明了如何使用 P 溝道MOSFET作為反向電壓保護(hù)的電路連接。需要注意的是MO...下圖說(shuō)明了如何使用 P 溝道MOSFET作為反向電壓保護(hù)的電路連接。需要注意的是MOSFET必須安裝在電源端。其中漏極D必須連接到電池的正極，柵極必須連接到系統(tǒng)接地端。...
熱阻，英文Thermal resistance，指的是當(dāng)有熱量在物體上傳輸時(shí)，在物體兩端溫度...熱阻，英文Thermal resistance，指的是當(dāng)有熱量在物體上傳輸時(shí)，在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值，單位是℃/W或者是K/W。
TA是指元器件所處的環(huán)境溫度，這個(gè)值在半導(dǎo)體制造商處的定義如圖1所示。然而，...TA是指元器件所處的環(huán)境溫度，這個(gè)值在半導(dǎo)體制造商處的定義如圖1所示。然而，在實(shí)際的產(chǎn)品中是不可能有這樣的環(huán)境來(lái)滿(mǎn)足TA測(cè)試條件的。
