功率MOSFET、功率BJT和功率二極管等功率器件，散熱器對于提供散熱非常重要。從...功率MOSFET、功率BJT和功率二極管等功率器件，散熱器對于提供散熱非常重要。從名稱本身來看，它將吸收功率器件的熱量并幫助控制器件內部安全區的溫度。
假定設計電路中的功率MOSFET的總計算功耗為10W。該器件的最高結溫為150℃。考慮...假定設計電路中的功率MOSFET的總計算功耗為10W。該器件的最高結溫為150℃。考慮到結到外殼還存在溫差，那么MOSFET的實際外殼溫度必須保持在等于或低于100°C才能可...
與傳統平面MOSFET技術相比，超級結MOSFET可顯著降低導通電阻和寄生電容。導通電...與傳統平面MOSFET技術相比，超級結MOSFET可顯著降低導通電阻和寄生電容。導通電阻的顯著降低和寄生電容的降低雖然有助于提高效率，但也產生電壓（dv/dt）和電流（...
開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器通常會使用功率器件，在設計過程中要...開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器通常會使用功率器件，在設計過程中要測量功率MOSFET或IGBT結溫，保證其在合理安全的工作范圍，因為功率器件結溫與其安全...
比較平面結構和溝槽結構的功率MOSFET，可以發現，超結型結構實際是綜合了平面型...比較平面結構和溝槽結構的功率MOSFET，可以發現，超結型結構實際是綜合了平面型和溝槽型結構兩者的特點，是在平面型結構中開一個低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平...
如下圖所示，平面結構是平面性地構成晶體管。這種結構當耐壓提高時，漂移層會增...如下圖所示，平面結構是平面性地構成晶體管。這種結構當耐壓提高時，漂移層會增厚，存在導通電阻增加的課題。而超級結結構是排列多個垂直PN結的結構，可保持耐壓的...
