N溝道增強型MOSFET：當VGS超過閾值電壓（VTH）時，ID開始增加，曲線呈上升趨勢...N溝道增強型MOSFET：當VGS超過閾值電壓（VTH）時，ID開始增加，曲線呈上升趨勢。 P溝道增強型MOSFET：當VGS低于負閾值電壓（-VTH）時，ID開始增加，曲線呈下降趨...
輸出特性曲線：N溝道增強型MOS管的輸出特性曲線如圖1a所示。與結型場效應管一樣...輸出特性曲線：N溝道增強型MOS管的輸出特性曲線如圖1a所示。與結型場效應管一樣，其輸出特性曲線也可分為可變電阻區、飽和區、截止區和擊穿區幾部分。 轉移特性曲...
KLF60R170B漏源擊穿電壓600V，漏極電流22A，n溝道多外延Super-JMOSFET結合了高...KLF60R170B漏源擊穿電壓600V，漏極電流22A，n溝道多外延Super-JMOSFET結合了高壓耐壓與低導通電阻的特性，?低導通電阻RDS(on) 150mΩ，超低柵極電荷30.2nc，最大...
電機要實現正反轉控制，將其電源的相序中任意兩相對調即可（換相），通常是V相...電機要實現正反轉控制，將其電源的相序中任意兩相對調即可（換相），通常是V相不變，將U相與W相對調節器，為了保證兩個接觸器動作時能夠可靠調換電動機的相序，接...
在正轉控制中，當電源開關Q閉合，并按下正轉按鈕SB2時，接觸器KM1的線圈會通電...在正轉控制中，當電源開關Q閉合，并按下正轉按鈕SB2時，接觸器KM1的線圈會通電并吸合。其主觸點會閉合，同時常開輔助觸點也會閉合并自鎖。 在反轉控制中，按下反...
KNM6390A場效應管漏源擊穿電壓900V，漏極電流12A，采用高級平面工藝制造，?低...KNM6390A場效應管漏源擊穿電壓900V，漏極電流12A，采用高級平面工藝制造，?低導通電阻RDS（ON）0.75Ω，最大限度地降低導通電阻，低柵極電荷最小化開關損耗，提高...
