KNH3530A場效應管漏源擊穿電壓300V，漏極電流70A，采用專利平面技術制造，?低...KNH3530A場效應管漏源擊穿電壓300V，漏極電流70A，采用專利平面技術制造，?低導通電阻RDS(on) 45mΩ，能夠最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷，降低開關損耗；?...
星形接線：三相負載各相一端連接到一個公共點（中性點），另一端分別接三相電源...星形接線：三相負載各相一端連接到一個公共點（中性點），另一端分別接三相電源的三根相線。 三角形接線：三相負載各相首尾相連形成閉合三角形，三個連接點分別接...
交流電（Alternating Current, AC），它的電荷波形一般都是正旋曲線。交流電是...交流電（Alternating Current, AC），它的電荷波形一般都是正旋曲線。交流電是指電路中電流、電壓及電動勢的大小和方向都隨時間按正弦規律變化，這種隨時間做周期...
KNH3206A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流110A，低導通電阻RDS(on)6.5mΩ，能...KNH3206A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流110A，低導通電阻RDS(on)6.5mΩ，能夠最大限度地減少導電損耗，具備用于快速開關應用的低柵極電荷，優化的BVDSS能力，...
整流電路所帶負載為具有反電動勢的阻感負載。若將電路中的晶閘管替換為二極管，...整流電路所帶負載為具有反電動勢的阻感負載。若將電路中的晶閘管替換為二極管，即相當于晶閘管觸發角α=0o的情況。在此狀態下，共陰極組的三個晶閘管中，陽極所接...
NMOS由n型半導體構成的源極和漏極，而基板（襯底）通常是p型半導體。 工作原理...NMOS由n型半導體構成的源極和漏極，而基板（襯底）通常是p型半導體。 工作原理： 關閉狀態（柵極電壓低于閾值電壓 Vth） 當柵極電壓（V_GS)低于閾值電壓（V_th...
