KCY3310A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，漏源擊穿電壓100V，漏極電流85A；低導(dǎo)通電...KCY3310A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，漏源擊穿電壓100V，漏極電流85A；低導(dǎo)通電阻RDS（導(dǎo)通）僅為5mΩ，極低的開關(guān)損耗，低RDS（開啟）和FOM，最小化導(dǎo)通電阻，開...
當(dāng)控制信號(hào)UA為高電平時(shí)，開關(guān)管VT1導(dǎo)通，輸入電壓施加到變壓器初級(jí)繞組Np1，形...當(dāng)控制信號(hào)UA為高電平時(shí)，開關(guān)管VT1導(dǎo)通，輸入電壓施加到變壓器初級(jí)繞組Np1，形成初級(jí)電流Ip1。此時(shí)次級(jí)繞組Ns2感應(yīng)出電壓，使二極管 VD2導(dǎo)通，電流經(jīng)濾波電感L向...
嘯叫主要發(fā)生在MLCC和感性器件，在一些包含音頻功能的產(chǎn)品如手機(jī)、運(yùn)動(dòng)相機(jī)中，...嘯叫主要發(fā)生在MLCC和感性器件，在一些包含音頻功能的產(chǎn)品如手機(jī)、運(yùn)動(dòng)相機(jī)中，嘯叫會(huì)嚴(yán)重干擾產(chǎn)品的音頻性能。一般而言，具備如下特征的電容和電路設(shè)計(jì)更容易產(chǎn)生...
高效開關(guān)電源專用MOS管KIA2N65HD漏源擊穿電壓60V，漏極電流230A；采用先進(jìn)的平...高效開關(guān)電源專用MOS管KIA2N65HD漏源擊穿電壓60V，漏極電流230A；采用先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)，?低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.3Ω，低柵極電荷6.5nC，?最小化導(dǎo)通電阻...
半橋網(wǎng)絡(luò)：由兩個(gè)MOS管（Q1、Q2）組成，交替導(dǎo)通。 諧振網(wǎng)絡(luò)：包括諧振電感Lr...半橋網(wǎng)絡(luò)：由兩個(gè)MOS管（Q1、Q2）組成，交替導(dǎo)通。 諧振網(wǎng)絡(luò)：包括諧振電感Lr、諧振電容Cr、勵(lì)磁電感Lm（通常為變壓器漏感與勵(lì)磁電感組合）。 副邊整流：通過變...
當(dāng)充電槍插入新能源汽車充電口后，汽車檢測(cè)點(diǎn)3電壓會(huì)發(fā)生變化。當(dāng)充電槍按壓開...當(dāng)充電槍插入新能源汽車充電口后，汽車檢測(cè)點(diǎn)3電壓會(huì)發(fā)生變化。當(dāng)充電槍按壓開關(guān)按下時(shí)，R4與RC串聯(lián)，電阻較大，檢測(cè)點(diǎn)3電壓較高；當(dāng)充電槍按壓開關(guān)松開后，R4短路...
